In0.22Ga0.78As/GaAs量子阱光致发光谱电子辐照效应研究
玛丽娅; 郭旗; 艾尔肯; 李豫东; 李占行; 文林; 周东
2017
发表期刊光学学报
ISSN0253-2239
卷号37期号:2页码:0216002-1-0216002-8
摘要

为了考察空间用低维红外光电材料与器件在辐射环境下的性能退化规律,本文对未掺杂的In0.22Ga0.78As/Ga As量子阱材料开展了1Me V电子束辐照试验,注量达1×1016cm-2,并且在辐照前后进行了光致发光谱测试,结果显示:样品的光致发光峰强度随着辐照剂量增大而显著退化,量子阱的发光峰中心波长发生了先红移后蓝移的现象。经分析认为原因有:1)电子束轰击量子阱材料晶格,发生能量传递,在材料中引入缺陷,增加了非辐射复合中心密度,导致光致发光强度降低。2)量子阱的发光峰中心波长发生了先红移后蓝移的原因是经电子束辐照后的量子阱中同时存在由带能粒子的入射导致的应力的释放和由于晶格位移产生的原子的互混。最终辐照后的In0.22Ga0.78As/Ga As量子阱的发光波长,取决于应变弛豫和扩散的共同作用。

关键词辐射 损伤 光致发光谱 量子阱
DOI10.3788/AOS201737.0216002
收录类别EI ; CSCD
CSCD记录号CSCD:5938920
引用统计
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4599
专题中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院大学
第一作者单位中国科学院新疆理化技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
玛丽娅,郭旗,艾尔肯,等. In0.22Ga0.78As/GaAs量子阱光致发光谱电子辐照效应研究[J]. 光学学报,2017,37(2):0216002-1-0216002-8.
APA 玛丽娅.,郭旗.,艾尔肯.,李豫东.,李占行.,...&周东.(2017).In0.22Ga0.78As/GaAs量子阱光致发光谱电子辐照效应研究.光学学报,37(2),0216002-1-0216002-8.
MLA 玛丽娅,et al."In0.22Ga0.78As/GaAs量子阱光致发光谱电子辐照效应研究".光学学报 37.2(2017):0216002-1-0216002-8.
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