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体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
Authors:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹;  姚帅;  赵京昊;  郭旗
Adobe PDF(2605Kb)  |  Favorite  |  View/Download:8/0  |  Submit date:2019/06/21
总剂量效应  绝缘体上硅  体效应  浅沟槽隔离  
γ射线及质子辐照导致CCD光谱响应退化的机制 期刊论文
发光学报, 2018, 卷号: 39, 期号: 2, 页码: 244-250
Authors:  文林;  李豫东;  郭旗;  汪朝敏
Adobe PDF(1365Kb)  |  Favorite  |  View/Download:58/0  |  Submit date:2018/03/13
电荷耦合器件  电离效应  位移损伤  光谱响应  
γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219
Authors:  马腾;  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维;  魏莹;  余学峰;  郭旗
Favorite  |  View/Download:17/0  |  Submit date:2018/10/18
场效应晶体管  可靠性  栅氧经时击穿  Γ射线  
基于X射线的晶圆级器件辐照与辐射效应参数提取设备的设计与实现 期刊论文
发光学报, 2017, 卷号: 38, 期号: 6, 页码: 828-834
Authors:  荀明珠;  李豫东;  郭旗;  何承发;  于新;  于钢;  文林;  张兴尧
Adobe PDF(1843Kb)  |  Favorite  |  View/Download:95/0  |  Submit date:2017/08/01
抗辐射加固  试验装置  晶圆级器件  X射线辐照  辐射效应  参数提取  
CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究 期刊论文
发光学报, 2017, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 182-187
Authors:  玛丽娅;  李豫东;  郭旗;  刘昌举;  文林;  汪波
Adobe PDF(599Kb)  |  Favorite  |  View/Download:105/1  |  Submit date:2017/02/23
电子辐照  Cmos有源像素传感器  暗信号  
In0.22Ga0.78As/GaAs量子阱光致发光谱电子辐照效应研究 期刊论文
光学学报, 2017, 卷号: 37, 期号: 2, 页码: 0216002-1-0216002-8
Authors:  玛丽娅;  郭旗;  艾尔肯;  李豫东;  李占行;  文林;  周东
Adobe PDF(1499Kb)  |  Favorite  |  View/Download:138/2  |  Submit date:2016/12/02
辐射  损伤  光致发光谱  量子阱  
1 MeV电子辐照下晶格匹配与晶格失配GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池辐射效应研究 期刊论文
发光学报, 2017, 卷号: 38, 期号: 4, 页码: 463-469
Authors:  李占行;  艾尔肯·阿不都瓦衣提;  玛丽娅·黑尼;  方亮;  高伟;  高慧;  孟宪松;  郭旗
Adobe PDF(2562Kb)  |  Favorite  |  View/Download:122/0  |  Submit date:2017/05/12
辐射效应  辐照退化  晶格匹配  晶格失配  三结太阳电池  
电荷耦合器件中子辐照诱发的位移效应 期刊论文
发光学报, 2016, 卷号: 37, 期号: 1, 页码: 44-49
Authors:  汪波;  李豫东;  郭旗;  汪朝敏;  文林
Adobe PDF(762Kb)  |  Favorite  |  View/Download:117/1  |  Submit date:2016/03/01
电荷耦合器件  中子辐照  位移效应  电荷转移效率  暗信号  
温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响 期刊论文
发光学报, 2016, 卷号: 37, 期号: 3, 页码: 332-337
Authors:  王帆;  李豫东;  郭旗;  汪波;  张兴尧
Adobe PDF(377Kb)  |  Favorite  |  View/Download:136/0  |  Submit date:2016/06/02
Cmos图像传感器  转换增益  满阱容量  暗电流  温度  
电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究 期刊论文
发光学报, 2016, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 711-719
Authors:  武大猷;  文林;  汪朝敏;  何承发;  郭旗;  李豫东;  曾俊哲;  汪波;  刘元
Adobe PDF(678Kb)  |  Favorite  |  View/Download:94/0  |  Submit date:2016/12/03
电荷耦合器件  暗信号  低剂量率损伤增强效应  暗场像素统计