深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应
文林; 李豫东; 郭旗; 孙静; 任迪远; 崔江维; 汪波; 玛丽娅
2015
Source Publication微电子学
ISSN1004-3365
Volume45Issue:5Pages:666-669
Abstract

为了研究深亚微米工艺CCD的辐射效应特性,了解因器件特征尺寸变小引入的新效应,对0.18μm商用工艺线上流片的不同沟道宽长比的N型沟道MOSFET器件进行了60Co-γ射线辐照实验,这些NMOSFET与CCD内的MOSFET结构相同。分析了辐照后由于总剂量效应导致的NMOSFET参数退化情况以及参数的常温和高温退火行为。实验结果表明,深亚微米工艺器件的辐射耐受性相比大尺寸器件明显增强,不同沟道宽长比的器件表现出的总剂量效应差异显示了器件具有明显的窄沟效应,界面陷阱电荷在新型器件的总剂量效应中起主导作用。研究结果为大面阵CCD的辐射效应研究和辐射加固设计提供了理论支持。

Keyword深亚微米 Nmosfet 总剂量效应 窄沟效应
Indexed ByCSCD
CSCD IDCSCD:5531628
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4511
Collection中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
材料物理与化学研究室
Affiliation中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院大学
Recommended Citation
GB/T 7714
文林,李豫东,郭旗,等. 深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应[J]. 微电子学,2015,45(5):666-669.
APA 文林.,李豫东.,郭旗.,孙静.,任迪远.,...&玛丽娅.(2015).深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应.微电子学,45(5),666-669.
MLA 文林,et al."深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应".微电子学 45.5(2015):666-669.
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