质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析
曾骏哲;  李豫东;  文林;  何承发;  郭旗;  汪波;  玛丽娅;  魏莹;  王海娇;  武大猷;  王帆;  周航
2015
发表期刊物理学报
卷号64期号:19页码:173-180
摘要

对科学级电荷耦合器件(charge-coupled device,CCD)进行了质子和中子辐照试验及退火试验,应用蒙特卡洛方法计算了质子和中子在CCD中的能量沉积,分析了器件的辐射损伤机理.仿真计算了N+埋层内沉积的位移损伤剂量,辐照与退火试验过程中主要考察暗信号的变化规律.研究结果显示,质子与中子辐照均会引发暗信号退化,其退化的规律与位移损伤剂量变化一致;退火后,质子辐照所致CCD暗信号大幅度恢复,其体暗信号增加量占总暗信号增加量的比例最多为22%;中子辐照引发的暗信号增长主要为体暗信号.质子和中子在N+埋层产生相同位移损伤剂量的情况下,两者导致的体暗信号增长量相同,质子与中子辐照产生的体缺陷对体暗信号增长的贡献是同质的.

关键词电荷耦合器件 质子辐照 中子辐照 输运仿真
收录类别SCI
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4508
专题中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
作者单位中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院大学
推荐引用方式
GB/T 7714
曾骏哲;李豫东;文林;何承发;郭旗;汪波;玛丽娅;魏莹;王海娇;武大猷;王帆;周航. 质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析[J]. 物理学报,2015,64(19):173-180.
APA 曾骏哲;李豫东;文林;何承发;郭旗;汪波;玛丽娅;魏莹;王海娇;武大猷;王帆;周航.(2015).质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析.物理学报,64(19),173-180.
MLA 曾骏哲;李豫东;文林;何承发;郭旗;汪波;玛丽娅;魏莹;王海娇;武大猷;王帆;周航."质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析".物理学报 64.19(2015):173-180.
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