质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析
曾骏哲; 李豫东; 文林; 何承发; 郭旗; 汪波; 玛丽娅; 魏莹; 王海娇; 武大猷; 王帆; 周航
2015
发表期刊物理学报
卷号64期号:19页码:173-180
摘要

对科学级电荷耦合器件(charge-coupled device,CCD)进行了质子和中子辐照试验及退火试验,应用蒙特卡洛方法计算了质子和中子在CCD中的能量沉积,分析了器件的辐射损伤机理.仿真计算了N+埋层内沉积的位移损伤剂量,辐照与退火试验过程中主要考察暗信号的变化规律.研究结果显示,质子与中子辐照均会引发暗信号退化,其退化的规律与位移损伤剂量变化一致;退火后,质子辐照所致CCD暗信号大幅度恢复,其体暗信号增加量占总暗信号增加量的比例最多为22%;中子辐照引发的暗信号增长主要为体暗信号.质子和中子在N+埋层产生相同位移损伤剂量的情况下,两者导致的体暗信号增长量相同,质子与中子辐照产生的体缺陷对体暗信号增长的贡献是同质的.

关键词电荷耦合器件 质子辐照 中子辐照 输运仿真
收录类别SCI ; CSCD
CSCD记录号CSCD:5576826
引用统计
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4508
专题中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院大学
第一作者单位中国科学院新疆理化技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
曾骏哲,李豫东,文林,等. 质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析[J]. 物理学报,2015,64(19):173-180.
APA 曾骏哲.,李豫东.,文林.,何承发.,郭旗.,...&周航.(2015).质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析.物理学报,64(19),173-180.
MLA 曾骏哲,et al."质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析".物理学报 64.19(2015):173-180.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的(648KB)期刊论文作者接受稿开放获取CC BY-NC-SA浏览 请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[曾骏哲]的文章
[李豫东]的文章
[文林]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[曾骏哲]的文章
[李豫东]的文章
[文林]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[曾骏哲]的文章
[李豫东]的文章
[文林]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
文件名: 质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析.pdf
格式: Adobe PDF
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。