质子辐射环境下PNP输入双极运算放大器辐照效应与退火特性
姜柯; 陆妩; 马武英; 郭旗; 何承发; 王信; 曾俊哲; 刘默涵
2015
Source Publication原子能科学技术
ISSN1000-6931
Volume49Issue:11Pages:2087-2092
Abstract

对不同偏置下的PNP输入双极运算放大器在3、10 MeV两种质子能量下的辐照效应进行了研究,并将质子辐射损伤效应与0.5Gy(Si)/s剂量率60 Coγ射线辐射损伤效应进行了比较,以探究质子和γ射线产生的辐射损伤之间的对应关系。结果表明,运放LM837对γ射线的敏感程度较10 MeV质子和3 MeV质子的小,然而其室温退火后的后损伤效应却更严重;相同等效总剂量条件下,10 MeV质子造成的损伤较3 MeV质子的高;质子辐射中器件的偏置条件对损伤影响不大。

KeywordPnp输入双极运算放大器 质子辐射 60 Coγ射线辐射 辐射效应
Indexed ByCSCD
CSCD IDCSCD:5572657
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4504
Collection中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
材料物理与化学研究室
Affiliation中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院大学
Recommended Citation
GB/T 7714
姜柯,陆妩,马武英,等. 质子辐射环境下PNP输入双极运算放大器辐照效应与退火特性[J]. 原子能科学技术,2015,49(11):2087-2092.
APA 姜柯.,陆妩.,马武英.,郭旗.,何承发.,...&刘默涵.(2015).质子辐射环境下PNP输入双极运算放大器辐照效应与退火特性.原子能科学技术,49(11),2087-2092.
MLA 姜柯,et al."质子辐射环境下PNP输入双极运算放大器辐照效应与退火特性".原子能科学技术 49.11(2015):2087-2092.
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