温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响
王帆; 李豫东; 郭旗; 汪波; 张兴尧
2016
Source Publication发光学报
ISSN1000-7032
Volume37Issue:3Pages:332-337
Abstract

为了对4管像素结构CMOS图像传感器的空间应用提供可靠性指导,对4管像素结构的CMOS图像传感器进行了-40~80℃的变温实验,着重分析了样品器件的转换增益、满阱容量、饱和输出和暗电流等参数随温度的变化规律。实验结果表明,随着温度的升高,样品器件的转换增益从0.026 54 DN/e下降到0.023 79 DN/e,饱和输出从4 030 DN下降到3 396 DN,并且暗电流从22.9 e·pixel-1·s-1增长到649 e·pixel-1·s-1。其中器件转换增益的减小应主要归因于载流子迁移率随温度升高而下降使得像素后端读出电路增益降低;饱和输出的降低则是因为转换增益的降低,因为转换增益随温度变化对饱和输出的影响要大于满阱容量随温度变化对饱和输出的影响。

KeywordCmos图像传感器 转换增益 满阱容量 暗电流 温度
DOI10.3788/fgxb20163703.0332
Indexed ByEI ; CSCD
CSCD IDCSCD:5645067
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4497
Collection中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
材料物理与化学研究室
Affiliation中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院大学
Recommended Citation
GB/T 7714
王帆,李豫东,郭旗,等. 温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响[J]. 发光学报,2016,37(3):332-337.
APA 王帆,李豫东,郭旗,汪波,&张兴尧.(2016).温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响.发光学报,37(3),332-337.
MLA 王帆,et al."温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响".发光学报 37.3(2016):332-337.
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