质子、中子、60Co-γ射线辐照对电荷耦合器件饱和输出电压的影响
汪波; 文林; 李豫东; 郭旗; 汪朝敏; 王帆; 任迪远; 曾骏哲; 武大猷
2015
发表期刊红外与激光工程
卷号44期号:S1页码:35-40
摘要

对国产工艺的电荷耦合器件进行了质子、中子、60Co-γ射线辐照试验,研究了不同粒子辐照对器件饱和输出电压的影响。试验结果显示在质子、γ射线辐照下,电荷耦合器件的饱和输出电压显著退化,而在1 Me V中子辐照下,饱和输出电压基本保持不变,表现出较好的抗中子能力。分析认为饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响,一方面辐射感生界面态导致阈值电压正向漂移使耗尽层可存储最大电荷量下降;另一方面电离辐射损伤使电荷耦合器件片上放大器增益减小导致饱和输出电压下降。

关键词电荷耦合器件 高能粒子辐照 饱和输出电压 电离总剂量效应
收录类别EI
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4482
专题中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院大学; 重庆光电技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
汪波,文林,李豫东,等. 质子、中子、60Co-γ射线辐照对电荷耦合器件饱和输出电压的影响[J]. 红外与激光工程,2015,44(S1):35-40.
APA 汪波.,文林.,李豫东.,郭旗.,汪朝敏.,...&武大猷.(2015).质子、中子、60Co-γ射线辐照对电荷耦合器件饱和输出电压的影响.红外与激光工程,44(S1),35-40.
MLA 汪波,et al."质子、中子、60Co-γ射线辐照对电荷耦合器件饱和输出电压的影响".红外与激光工程 44.S1(2015):35-40.
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