质子、中子、60Co-γ射线辐照对电荷耦合器件饱和输出电压的影响
汪波; 文林; 李豫东; 郭旗; 汪朝敏; 王帆; 任迪远; 曾骏哲; 武大猷
2015
Source Publication红外与激光工程
Volume44Issue:S1Pages:35-40
Abstract

对国产工艺的电荷耦合器件进行了质子、中子、60Co-γ射线辐照试验,研究了不同粒子辐照对器件饱和输出电压的影响。试验结果显示在质子、γ射线辐照下,电荷耦合器件的饱和输出电压显著退化,而在1 Me V中子辐照下,饱和输出电压基本保持不变,表现出较好的抗中子能力。分析认为饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响,一方面辐射感生界面态导致阈值电压正向漂移使耗尽层可存储最大电荷量下降;另一方面电离辐射损伤使电荷耦合器件片上放大器增益减小导致饱和输出电压下降。

Keyword电荷耦合器件 高能粒子辐照 饱和输出电压 电离总剂量效应
Indexed ByEI
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4482
Collection中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
材料物理与化学研究室
Affiliation中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院大学; 重庆光电技术研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
汪波,文林,李豫东,等. 质子、中子、60Co-γ射线辐照对电荷耦合器件饱和输出电压的影响[J]. 红外与激光工程,2015,44(S1):35-40.
APA 汪波.,文林.,李豫东.,郭旗.,汪朝敏.,...&武大猷.(2015).质子、中子、60Co-γ射线辐照对电荷耦合器件饱和输出电压的影响.红外与激光工程,44(S1),35-40.
MLA 汪波,et al."质子、中子、60Co-γ射线辐照对电荷耦合器件饱和输出电压的影响".红外与激光工程 44.S1(2015):35-40.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
质子、中子、60Co-γ射线辐照对电荷耦(467KB)期刊论文作者接受稿开放获取CC BY-NC-SAView Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[汪波]'s Articles
[文林]'s Articles
[李豫东]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[汪波]'s Articles
[文林]'s Articles
[李豫东]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[汪波]'s Articles
[文林]'s Articles
[李豫东]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
File name: 质子、中子、60Co-γ射线辐照对电荷耦合器件饱和输出电压的影响.pdf
Format: Adobe PDF
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.