基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究
王帆; 李豫东; 郭旗; 汪波; 张兴尧; 文林; 何承发
2016
Source Publication物理学报
ISSN1000-3290
Volume65Issue:2Pages:180-185
Abstract

对基于4晶体管像素结构互补金属氧化物半导体图像传感器的电离总剂量效应进行了研究,着重分析了器件的满阱容量和暗电流随总剂量退化的物理机理.实验的总剂量为200 krad(Si),测试点分别为30 krad(Si),100 krad(Si),150 krad(Si)和200 krad(Si),剂量率为50 rad(Si)/s.实验结果发现随着辐照总剂量的增加,器件的满阱容量下降并且暗电流显著增加.其中辐照使得传输门沟道掺杂分布发生改变是满阱容量下降的主要原因,而暗电流退化则主要来自于浅槽隔离界面缺陷产生电流和传输门-光电二极管交叠区产生电流.实验还表明样品器件的转换增益在辐照前后未发生明显变化,并且与3晶体管像素结构不同,4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器没有显著的总剂量辐照偏置效应。

Keyword互补金属氧化物半导体图像传感器 电离总剂量效应 钳位二极管 满阱容量
DOI10.7498/aps.65.024212
Indexed BySCI ; CSCD
CSCD IDCSCD:5630694
Citation statistics
Cited Times:4[WOS]   [WOS Record]     [Related Records in WOS]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4347
Collection中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
材料物理与化学研究室
Affiliation中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院大学
Recommended Citation
GB/T 7714
王帆,李豫东,郭旗,等. 基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究[J]. 物理学报,2016,65(2):180-185.
APA 王帆.,李豫东.,郭旗.,汪波.,张兴尧.,...&何承发.(2016).基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究.物理学报,65(2),180-185.
MLA 王帆,et al."基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究".物理学报 65.2(2016):180-185.
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