基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究
王帆; 李豫东; 郭旗; 汪波; 张兴尧; 文林; 何承发
2016
发表期刊物理学报
ISSN1000-3290
卷号65期号:2页码:180-185
摘要

对基于4晶体管像素结构互补金属氧化物半导体图像传感器的电离总剂量效应进行了研究,着重分析了器件的满阱容量和暗电流随总剂量退化的物理机理.实验的总剂量为200 krad(Si),测试点分别为30 krad(Si),100 krad(Si),150 krad(Si)和200 krad(Si),剂量率为50 rad(Si)/s.实验结果发现随着辐照总剂量的增加,器件的满阱容量下降并且暗电流显著增加.其中辐照使得传输门沟道掺杂分布发生改变是满阱容量下降的主要原因,而暗电流退化则主要来自于浅槽隔离界面缺陷产生电流和传输门-光电二极管交叠区产生电流.实验还表明样品器件的转换增益在辐照前后未发生明显变化,并且与3晶体管像素结构不同,4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器没有显著的总剂量辐照偏置效应。

关键词互补金属氧化物半导体图像传感器 电离总剂量效应 钳位二极管 满阱容量
DOI10.7498/aps.65.024212
收录类别SCI ; CSCD
CSCD记录号CSCD:5630694
引用统计
被引频次:4[WOS]   [WOS记录]     [WOS相关记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4347
专题中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院大学
推荐引用方式
GB/T 7714
王帆,李豫东,郭旗,等. 基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究[J]. 物理学报,2016,65(2):180-185.
APA 王帆.,李豫东.,郭旗.,汪波.,张兴尧.,...&何承发.(2016).基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究.物理学报,65(2),180-185.
MLA 王帆,et al."基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究".物理学报 65.2(2016):180-185.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导(590KB)期刊论文作者接受稿开放获取CC BY-NC-SA浏览 请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[王帆]的文章
[李豫东]的文章
[郭旗]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[王帆]的文章
[李豫东]的文章
[郭旗]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[王帆]的文章
[李豫东]的文章
[郭旗]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
文件名: 基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究.pdf
格式: Adobe PDF
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。