电荷耦合器件中子辐照诱发的位移效应
汪波;  李豫东;  郭旗;  汪朝敏;  文林
2016
发表期刊发光学报
ISSN1000-7032
卷号37期号:1页码:44-49
摘要

为研究电荷耦合器件空间辐照效应、参数退化机理,对国产64×64像元电荷耦合器件进行了中子辐照位移损伤效应研究。样品在中子辐照下,暗信号、暗信号非均匀性和电荷转移效率等关键性能参数退化显著。研究结果表明:暗信号的退化是由于中子辐照产生的体缺陷能级在耗尽层中充当复合-产生中心,增大了热载流子的产生率所致,而各像素单元暗信号退化的不一致性使暗信号非均匀性增大;电荷转移效率显著减小则是由于中子辐照在转移沟道中产生的体缺陷不断捕获、发射电子所引起。在整个实验过程中,饱和输出电压的退化可以忽略不计,表现出较好的抗位移损伤能力。

关键词电荷耦合器件 中子辐照 位移效应 电荷转移效率 暗信号
DOI10.3788/fgxb20163701.0044
收录类别EI ; CSCD
CSCD记录号CSCD:5611547
引用统计
被引频次:1[CSCD]   [CSCD记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4346
专题中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
作者单位中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院大学; 重庆光电技术研究所
第一作者单位中国科学院新疆理化技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
汪波;李豫东;郭旗;汪朝敏;文林. 电荷耦合器件中子辐照诱发的位移效应[J]. 发光学报,2016,37(1):44-49.
APA 汪波;李豫东;郭旗;汪朝敏;文林.(2016).电荷耦合器件中子辐照诱发的位移效应.发光学报,37(1),44-49.
MLA 汪波;李豫东;郭旗;汪朝敏;文林."电荷耦合器件中子辐照诱发的位移效应".发光学报 37.1(2016):44-49.
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