In0.53Ga0.47As/InP量子阱与体材料的1 MeV电子束辐照光致发光谱研究
玛丽娅; 李豫东; 郭旗; 艾尔肯; 王海娇; 汪波; 曾骏哲
2015
发表期刊物理学报
ISSN1000-3290
卷号64期号:15页码:252-258
摘要

为获得对In0.53Ga0.47As/In P材料在电子束辐照下的光致发光谱变化规律,开展了1 Me V电子束辐照试验,注量为5×1012—9×1014cm-2.样品选取量子阱材料和体材料,在辐照前后,进行了光致发光谱测试,得到了不同结构In0.53Ga0.47As/In P材料在1 Me V电子束辐照下的不同变化规律;对比分析了参数退化的物理机理.结果显示:试验样品的光致发光峰强度随着辐照剂量增大而显著退化.体材料最先出现快速退化,而五层量子阱在注量达到6×1014cm-2时,就已经退化至辐照前的9%.经分析认为原因有:1)电子束进入样品后,与材料晶格发生能量传递,破坏晶格完整性,致使产生的激子数量减少,光致发光强度降低;电子束辐照在材料中引入缺陷,增加了非辐射复合中心密度,导致载流子迁移率降低.2)量子阱的二维限制作用使载流子运动受限,从而能够降低载流子与非辐射复合中心的复合概率;敏感区域截面积相同条件下,体材料比量子阱材料辐射损伤更为严重.3)量子阱的层数越多,则异质结界面数越多,相应的产生的界面缺陷数量也随之增多,辐射损伤越严重.

关键词In0.53ga0.47as/in p 量子阱 电子束辐照 光致发光谱
DOI10.7498/aps.64.154217
收录类别SCI ; CSCD
CSCD记录号CSCD:5492787
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被引频次:2[WOS]   [WOS记录]     [WOS相关记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4315
专题中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院大学
推荐引用方式
GB/T 7714
玛丽娅,李豫东,郭旗,等. In0.53Ga0.47As/InP量子阱与体材料的1 MeV电子束辐照光致发光谱研究[J]. 物理学报,2015,64(15):252-258.
APA 玛丽娅.,李豫东.,郭旗.,艾尔肯.,王海娇.,...&曾骏哲.(2015).In0.53Ga0.47As/InP量子阱与体材料的1 MeV电子束辐照光致发光谱研究.物理学报,64(15),252-258.
MLA 玛丽娅,et al."In0.53Ga0.47As/InP量子阱与体材料的1 MeV电子束辐照光致发光谱研究".物理学报 64.15(2015):252-258.
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