电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应简
文林; 李豫东; 郭旗; 孙静; 任迪远; 崔江维; 汪波; 玛丽娅
2015
发表期刊微电子学
ISSN1004-3365
卷号45期号:4页码:537-540+544
摘要

为了研究电子辐照导致CCD参数退化的损伤机理,以及CCD内不同沟道宽长比的NMOSFET的辐射效应,将与CCD同时流片的两种不同沟道宽长比的深亚微米NMOSFET进行电子辐照实验。分析了电子辐照导致NMOSFET阈值电压和饱和电流退化的情况,以及器件的辐射损伤敏感性。实验结果表明,电子辐照导致两种NMOSFET器件的参数退化情况以及辐射损伤敏感性类似。导致器件参数退化的主要原因是界面陷阱电荷,同时氧化物陷阱电荷表现出了一定的竞争关系。实验结果为研究CCD电子辐照导致的辐射效应提供了基础数据支持。

关键词深亚微米 Nmosfet 电子辐照 总剂量效应
收录类别CSCD
CSCD记录号CSCD:5486654
引用统计
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4303
专题中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院大学
推荐引用方式
GB/T 7714
文林,李豫东,郭旗,等. 电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应简[J]. 微电子学,2015,45(4):537-540+544.
APA 文林.,李豫东.,郭旗.,孙静.,任迪远.,...&玛丽娅.(2015).电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应简.微电子学,45(4),537-540+544.
MLA 文林,et al."电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应简".微电子学 45.4(2015):537-540+544.
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