锗硅异质结双极晶体管单粒子效应加固设计与仿真
李培; 郭红霞; 郭旗; 文林; 崔江维; 王信; 张晋新
2015
发表期刊物理学报
ISSN1000-3290
卷号64期号:11页码:415-421
摘要

本文设计了一种通过在版图布局中引入伪集电极的方法来提高锗硅异质结双极晶体管(Si Ge HBT)抗单粒子性能的方法.利用半导体器件模拟工具,针对加固前后的Si Ge HBT开展了单粒子效应仿真模拟,分析了伪集电极对Si Ge HBT电荷收集机理的影响.结果表明,引入的伪集电极形成的新的集电极-衬底结具有较大的反偏能力,加固后Si Ge HBT伪集电极通过扩散机理,大量收集单粒子效应产生的电荷,有效地减少了实际集电极的电荷收集量,发射极、基极电荷收集量也有不同程度的降低,加固设计后Si Ge HBT的单粒子效应敏感区域缩小,有效的提高了Si Ge HBT器件抗单粒子效应辐射性能.此项工作的开展为Si Ge HBT电路级单粒子效应抗辐射加固设计打下良好的基础.

关键词锗硅异质结双极晶体管 单粒子效应 加固设计 伪集电极
DOI10.7498/aps.64.118502
收录类别SCI ; CSCD
CSCD记录号CSCD:5439506
引用统计
被引频次:1[WOS]   [WOS记录]     [WOS相关记录]
被引频次:1[CSCD]   [CSCD记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4298
专题中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院大学;西北核技术研究所;西安交通大学
推荐引用方式
GB/T 7714
李培,郭红霞,郭旗,等. 锗硅异质结双极晶体管单粒子效应加固设计与仿真[J]. 物理学报,2015,64(11):415-421.
APA 李培.,郭红霞.,郭旗.,文林.,崔江维.,...&张晋新.(2015).锗硅异质结双极晶体管单粒子效应加固设计与仿真.物理学报,64(11),415-421.
MLA 李培,et al."锗硅异质结双极晶体管单粒子效应加固设计与仿真".物理学报 64.11(2015):415-421.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
锗硅异质结双极晶体管单粒子效应加固设计与(966KB)期刊论文作者接受稿开放获取CC BY-NC-SA浏览 请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[李培]的文章
[郭红霞]的文章
[郭旗]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[李培]的文章
[郭红霞]的文章
[郭旗]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[李培]的文章
[郭红霞]的文章
[郭旗]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
文件名: 锗硅异质结双极晶体管单粒子效应加固设计与仿真.pdf
格式: Adobe PDF
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。