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电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响
刘远; 陈海波; 何玉娟; 王信; 岳龙; 恩云飞; 刘默寒
2015
发表期刊物理学报
ISSN1000-3290
卷号64期号:7页码:393-398
摘要

本文针对辐射前后部分耗尽结构绝缘体上硅(SOI)器件的电学特性与低频噪声特性开展试验研究.受辐射诱生埋氧化层固定电荷与界面态的影响,当辐射总剂量达到1 M rad(Si)(1 rad=10-2Gy)条件下,SOI器件背栅阈值电压从44.72 V减小至12.88 V、表面电子有效迁移率从473.7 cm2/V·s降低至419.8 cm2/V·s、亚阈斜率从2.47 V/dec增加至3.93 V/dec;基于辐射前后亚阈斜率及阈值电压的变化,可提取得到辐射诱生界面态与氧化层固定电荷密度分别为5.33×1011cm-2与2.36×1012cm-2.受辐射在埋氧化层-硅界面处诱生边界陷阱、氧化层固定电荷与界面态的影响,辐射后埋氧化层-硅界面处电子被陷阱俘获/释放的行为加剧,造成SOI器件背栅平带电压噪声功率谱密度由7×10-10V2·Hz-1增加至1.8×10-9V2·Hz-1;基于载流子数随机涨落模型可提取得到辐射前后SOI器件埋氧化层界面附近缺陷态密度之和约为1.42×1017cm-3·eV-1和3.66×1017cm-3·eV-1.考虑隧穿削弱因子、隧穿距离与时间常数之间关系,本文计算得到辐射前后埋氧化层内陷阱电荷密度随空间分布的变化.

关键词绝缘体上硅 部分耗尽 电离辐射 低频噪声
DOI10.7498/aps.64.078501
收录类别SCI ; CSCD
CSCD记录号CSCD:5398425
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被引频次:2[WOS]   [WOS记录]     [WOS相关记录]
被引频次:1[CSCD]   [CSCD记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4285
专题材料物理与化学研究室
作者单位工业和信息化部电子第五研究所;电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室;中国电子科技集团公司第五十八研究所;中国科学院新疆理化技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘远,陈海波,何玉娟,等. 电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响[J]. 物理学报,2015,64(7):393-398.
APA 刘远.,陈海波.,何玉娟.,王信.,岳龙.,...&刘默寒.(2015).电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响.物理学报,64(7),393-398.
MLA 刘远,et al."电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响".物理学报 64.7(2015):393-398.
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