电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析
曾骏哲; 何承发; 李豫东; 郭旗; 文林; 汪波; 玛丽娅; 王海娇
2015
发表期刊物理学报
ISSN1000-3290
卷号64期号:11页码:225-232
摘要

应用蒙特卡洛方法计算了质子在科学级电荷耦合器件(charge-coupled device,CCD)结构中的能量沉积,并结合该CCD的质子辐照试验及退火试验数据,分析了器件的辐射损伤机理.仿真计算体硅内沉积的位移损伤剂量和栅氧化层的电离损伤剂量,辐照与退火试验过程中主要考察暗信号、电荷转移效率两个参数的变化规律.研究结果显示,暗信号和电荷转移效率的变化规律与位移、电离损伤剂量一致;退火后暗信号大幅度降低,辐照导致的表面暗信号增加占总暗信号增加的比例至少为80%;退火后电荷转移效率恢复较小,电荷转移效率降低的原因主要为体缺陷.通过总结试验规律,推导出了电荷转移效率退化程度的预估公式及其损伤因子kdamage.

关键词电荷耦合器件 质子辐照 位移效应 输运仿真
DOI10.7498/aps.64.114214
收录类别SCI ; CSCD
CSCD记录号CSCD:5439480
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文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4282
专题中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
作者单位中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院大学
推荐引用方式
GB/T 7714
曾骏哲,何承发,李豫东,等. 电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析[J]. 物理学报,2015,64(11):225-232.
APA 曾骏哲.,何承发.,李豫东.,郭旗.,文林.,...&王海娇.(2015).电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析.物理学报,64(11),225-232.
MLA 曾骏哲,et al."电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析".物理学报 64.11(2015):225-232.
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