质子辐射下互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号退化机理研究
汪波; 李豫东; 郭旗; 刘昌举; 文林; 任迪远; 曾骏哲; 玛丽娅
2015
发表期刊物理学报
ISSN1000-3290
卷号64期号:8页码:193-199
摘要

对某国产0.5μm工艺制造的互补金属氧化物半导体有源像素传感器进行了10 Me V质子辐射试验,当辐射注量达到预定注量点时,采用离线的测试方法,定量测试了器件暗信号的变化情况.试验结果表明,随着辐射注量的增加暗信号迅速增大.采用MULASSIS(multi-layered shielding simulation software)软件计算了电离损伤剂量和位移损伤剂量,在与γ辐射试验数据对比的基础上,结合器件结构和工艺参数,建立了分离质子辐射引起的电离效应和位移效应理论模型,深入分析了器件暗信号的退化机理.研究结果表明,对该国产器件而言,电离效应导致的表面暗信号和位移效应导致的体暗信号对整个器件暗信号退化的贡献大致相当.

关键词互补金属氧化物半导体有源像素传感器 暗信号 质子辐射 位移效应
DOI10.7498/aps.64.084209
收录类别SCI ; CSCD
CSCD记录号CSCD:5408741
引用统计
被引频次:3[CSCD]   [CSCD记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4278
专题中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院大学;重庆光电技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
汪波,李豫东,郭旗,等. 质子辐射下互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号退化机理研究[J]. 物理学报,2015,64(8):193-199.
APA 汪波.,李豫东.,郭旗.,刘昌举.,文林.,...&玛丽娅.(2015).质子辐射下互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号退化机理研究.物理学报,64(8),193-199.
MLA 汪波,et al."质子辐射下互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号退化机理研究".物理学报 64.8(2015):193-199.
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