XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
CCD器件辐射损伤参数测试方法
葛钊; 陈佳杰; 李豫东; 吾勤之
2015
发表期刊上海航天
ISSN1006-1630
卷号32期号:2页码:64-68
摘要为准确而高效实现CCD辐射损伤参数的定量测试与分析,根据现有的光电成像器件辐射效应测试系统,研究了CCD器件的辐射损伤参数测试方法,可测试暗信号、电荷转移效率、饱和输出电压、固定图像噪声、光响应非均匀性和光谱响应等参数。用此法获得了某CCD器件在60 Co-γ射线源辐照下的参数变化规律。结果表明:该测试方法利于CCD辐射损伤的分析,可为CCD的辐射效应研究和抗辐射性能评估提供试验数据。
关键词辐射效应 参数测试方法 光谱响应
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4275
专题材料物理与化学研究室
作者单位上海航天技术研究院;中国科学院新疆理化技术研究所;上海航天基础技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
葛钊,陈佳杰,李豫东,等. CCD器件辐射损伤参数测试方法[J]. 上海航天,2015,32(2):64-68.
APA 葛钊,陈佳杰,李豫东,&吾勤之.(2015).CCD器件辐射损伤参数测试方法.上海航天,32(2),64-68.
MLA 葛钊,et al."CCD器件辐射损伤参数测试方法".上海航天 32.2(2015):64-68.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CCD器件辐射损伤参数测试方法.pdf(563KB)期刊论文作者接受稿开放获取CC BY-NC-SA浏览 请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[葛钊]的文章
[陈佳杰]的文章
[李豫东]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[葛钊]的文章
[陈佳杰]的文章
[李豫东]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[葛钊]的文章
[陈佳杰]的文章
[李豫东]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
文件名: CCD器件辐射损伤参数测试方法.pdf
格式: Adobe PDF
此文件暂不支持浏览
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。