中国科学院新疆理化技术研究所机构知识库
Advanced  
XJIPC OpenIR  > 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室  > 期刊论文
题名: 0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应
作者: 汪波; 李豫东; 郭旗; 刘昌举; 文林; 孙静; 玛丽娅
关键词: 电离总剂量辐射效应 ; CMOS有源像素传感器 ; 饱和输出信号 ; 像素单元结构 ; LOCOS隔离
刊名: 发光学报
发表日期: 2015
卷: 36, 期:2, 页:242-248
收录类别: SCI
资助者: 国家自然科学基金(11005152)资助项目
摘要: 采用60Co-γ射线对某国产0.5μm CMOS N阱工艺CMOS有源像素传感器(APS)的整体电路和像素单元结构进行了电离总剂量辐射效应研究,重点考察了器件的饱和输出信号、像素单元输出信号、暗信号等参数的变化规律。随着辐射剂量的增大,饱和输出信号逐渐减小且与像素单元饱和输出信号变化基本一致;暗信号随总剂量的增大而显著增大。研究结果表明,0.5μm工艺CMOS APS电离总剂量辐射效应引起参数退化的主要原因是光敏二极管周围的整个LOCOS(Local oxidation of silicon)隔离氧化层产生了大量的辐射感生电荷。
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4219
Appears in Collections:中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室_期刊论文

Files in This Item:
File Name/ File Size Content Type Version Access License
0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应.pdf(1121KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室;新疆电子信息材料与器件重点试验室;中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院大学;重庆光电技术研究所

Recommended Citation:
汪波,李豫东,郭旗,等. 0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应[J]. 发光学报,2015,36(2):242-248.
Service
Recommend this item
Sava as my favorate item
Show this item's statistics
Export Endnote File
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[汪波]'s Articles
[李豫东]'s Articles
[郭旗]'s Articles
CSDL cross search
Similar articles in CSDL Cross Search
[汪波]‘s Articles
[李豫东]‘s Articles
[郭旗]‘s Articles
Related Copyright Policies
Null
Social Bookmarking
Add to CiteULike Add to Connotea Add to Del.icio.us Add to Digg Add to Reddit
文件名: 0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应.pdf
格式: Adobe PDF
此文件暂不支持浏览
所有评论 (0)
暂无评论
 
评注功能仅针对注册用户开放,请您登录
您对该条目有什么异议,请填写以下表单,管理员会尽快联系您。
内 容:
Email:  *
单位:
验证码:   刷新
您在IR的使用过程中有什么好的想法或者建议可以反馈给我们。
标 题:
 *
内 容:
Email:  *
验证码:   刷新

Items in IR are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

 

 

Valid XHTML 1.0!
Powered by CSpace