质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和位移效应分析
文林; 李豫东; 郭旗; 任迪远; 汪波; 玛丽娅
2015
Source Publication物理学报
ISSN1000-3290
Volume64Issue:2Pages:257-263
Abstract

针对卫星轨道上的空间环境辐射引起电子元器件参数退化问题,为了研究光电器件空间辐射效应、损伤机理以及参数退化规律,对某国产埋沟科学级电荷耦合器件(charge-coupled devices,CCD)进行了10 Me V质子辐照试验、退火试验及辐射效应理论模型研究.试验过程中重点考察了器件的暗信号和电荷转移效率特性的变化.试验结果表明,器件的主要性能参数随着质子辐照注量的增大明显退化,在退火过程中这些参数均有不同程度的恢复.通过对CCD敏感参数退化规律及其与器件工艺、结构的相关性进行分析,并根据半导体器件辐射效应理论,推导了器件敏感参数随质子辐照注量变化的理论模型,得到了暗信号及电荷转移效率随辐照注量退化的半经验公式.上述工作可为深入开展CCD抗辐射性能预测、抗辐射工艺改进与结构优化提供重要参考.

Keyword电荷耦合器件 质子辐照 电离效应 位移损伤
Indexed BySCI ; CSCD
CSCD IDCSCD:5342802
Citation statistics
Cited Times:3[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4192
Collection中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
材料物理与化学研究室
Affiliation中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院大学
Recommended Citation
GB/T 7714
文林,李豫东,郭旗,等. 质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和位移效应分析[J]. 物理学报,2015,64(2):257-263.
APA 文林,李豫东,郭旗,任迪远,汪波,&玛丽娅.(2015).质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和位移效应分析.物理学报,64(2),257-263.
MLA 文林,et al."质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和位移效应分析".物理学报 64.2(2015):257-263.
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