中国科学院新疆理化技术研究所机构知识库
Advanced  
XJIPC OpenIR  > 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室  > 期刊论文
题名: 质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和位移效应分析
作者: 文林; 李豫东; 郭旗; 任迪远; 汪波; 玛丽娅
关键词: 电荷耦合器件 ; 质子辐照 ; 电离效应 ; 位移损伤
刊名: 物理学报
发表日期: 2015
卷: 64, 期:2, 页:257-263
收录类别: SCI
资助者: 国家自然科学基金
摘要: 针对卫星轨道上的空间环境辐射引起电子元器件参数退化问题,为了研究光电器件空间辐射效应、损伤机理以及参数退化规律,对某国产埋沟科学级电荷耦合器件(charge-coupled devices,CCD)进行了10 Me V质子辐照试验、退火试验及辐射效应理论模型研究.试验过程中重点考察了器件的暗信号和电荷转移效率特性的变化.试验结果表明,器件的主要性能参数随着质子辐照注量的增大明显退化,在退火过程中这些参数均有不同程度的恢复.通过对CCD敏感参数退化规律及其与器件工艺、结构的相关性进行分析,并根据半导体器件辐射效应理论,推导了器件敏感参数随质子辐照注量变化的理论模型,得到了暗信号及电荷转移效率随辐照注量退化的半经验公式.上述工作可为深入开展CCD抗辐射性能预测、抗辐射工艺改进与结构优化提供重要参考.
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4192
Appears in Collections:中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室_期刊论文

Files in This Item:
File Name/ File Size Content Type Version Access License
质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和位移效应分析.pdf(633KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院大学

Recommended Citation:
文林,李豫东,郭旗,等. 质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和位移效应分析[J]. 物理学报,2015,64(2):257-263.
Service
Recommend this item
Sava as my favorate item
Show this item's statistics
Export Endnote File
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[文林]'s Articles
[李豫东]'s Articles
[郭旗]'s Articles
CSDL cross search
Similar articles in CSDL Cross Search
[文林]‘s Articles
[李豫东]‘s Articles
[郭旗]‘s Articles
Related Copyright Policies
Null
Social Bookmarking
Add to CiteULike Add to Connotea Add to Del.icio.us Add to Digg Add to Reddit
文件名: 质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和位移效应分析.pdf
格式: Adobe PDF
此文件暂不支持浏览
所有评论 (0)
暂无评论
 
评注功能仅针对注册用户开放,请您登录
您对该条目有什么异议,请填写以下表单,管理员会尽快联系您。
内 容:
Email:  *
单位:
验证码:   刷新
您在IR的使用过程中有什么好的想法或者建议可以反馈给我们。
标 题:
 *
内 容:
Email:  *
验证码:   刷新

Items in IR are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

 

 

Valid XHTML 1.0!
Powered by CSpace