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题名: 高介电栅介质材料研究进展
其他题名: Development of high-K gate dielectric materials
作者: 武德起; 赵红生; 姚金城; 张东炎; 常爱民
关键词: 高介电栅介质 ; 晶化温度 ; 低介电界面层 ; 金属栅电极
刊名: 无机材料学报
发表日期: 2008
卷: 23, 期:5, 页:865-871
收录类别: SCI ; EI ; CSCD
资助者: 国家自然科学基金;中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目
摘要: 传统的栅介质材料SiO_2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求,因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究,进展迅速.本文综述了国内外对高介电材料的研究成果,并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展.
英文摘要: The traditional gate dielectric material of SiO2 can not satisfy the need of the continuous downscaling of CMOS dimensions. High-K gate dielectric materials have attracted extensive research efforts recently and obtained great progress. In this paper, the developments of high gate materials were reviewed. Based on the authors background and research work in the area, the latest achievements of high-K gate dielectric materials on the recrystalization temperature, the low-K interface layer, and the dielectric breakdown and metal gate electrode were introduced in detail.
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内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3722
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高介电栅介质材料研究进展.pdf(889KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所

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武德起,赵红生,姚金城,等. 高介电栅介质材料研究进展[J]. 无机材料学报,2008,23(5):865-871.
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