中国科学院新疆理化技术研究所机构知识库
Advanced  
XJIPC OpenIR  > 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室  > 期刊论文
题名: 60Co-γ射线辐照CMOS有源像素传感器诱发暗信号退化的机理研究
其他题名: Research on dark signal degradation in 60Coγ-ray-irradiated CMOS active pixel sensor
作者: 汪波; 李豫东; 郭旗; 刘昌举; 文林; 玛丽娅; 孙静; 王海娇; 丛忠超; 马武英
关键词: CMOS有源像素传感器 ; 暗信号 ; 60 Co-γ射线 ; 损伤机理 ; CMOS APS ; dark signal ; 60 Coγ-rays ; damage mechanism
刊名: 物理学报
发表日期: 2014
卷: 63, 期:5, 页:313-319
收录类别: SCI
摘要: 对某国产0.5μm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体) N阱工艺CMOS有源像素传感器的电离总剂量效应进行了研究,通过60 Co-γ射线辐照试验,着重分析了对辐射最敏感的暗信号和暗信号非均匀性随总剂量退化的物理机理.实验发现,随着辐照剂量的增加,暗信号和暗信号非均匀性显著退化,并且静态偏置条件下器件的辐射损伤最大.暗信号退化的主要原因是光电二极管pn结和复位晶体管源端N+/Psub结表面边界周围的SiO2产生了大量的界面态;暗信号非均匀性显著退化是由于光电二极管的暗信号增大引起.上述工作可为深入研究CMOS有源像素传感器的抗辐射加固及其辐射损伤评估提供参考.
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3669
Appears in Collections:中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室_期刊论文

Files in This Item:
File Name/ File Size Content Type Version Access License
60Co-γ射线辐照CMOS有源像素传感器诱发暗信号退化的机理研究.pdf(706KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院大学;重庆光电技术研究所

Recommended Citation:
汪波,李豫东,郭旗,等. 60Co-γ射线辐照CMOS有源像素传感器诱发暗信号退化的机理研究[J]. 物理学报,2014,63(5):313-319.
Service
Recommend this item
Sava as my favorate item
Show this item's statistics
Export Endnote File
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[汪波]'s Articles
[李豫东]'s Articles
[郭旗]'s Articles
CSDL cross search
Similar articles in CSDL Cross Search
[汪波]‘s Articles
[李豫东]‘s Articles
[郭旗]‘s Articles
Related Copyright Policies
Null
Social Bookmarking
Add to CiteULike Add to Connotea Add to Del.icio.us Add to Digg Add to Reddit
文件名: 60Co-γ射线辐照CMOS有源像素传感器诱发暗信号退化的机理研究.pdf
格式: Adobe PDF
所有评论 (0)
暂无评论
 
评注功能仅针对注册用户开放,请您登录
您对该条目有什么异议,请填写以下表单,管理员会尽快联系您。
内 容:
Email:  *
单位:
验证码:   刷新
您在IR的使用过程中有什么好的想法或者建议可以反馈给我们。
标 题:
 *
内 容:
Email:  *
验证码:   刷新

Items in IR are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

 

 

Valid XHTML 1.0!
Powered by CSpace