XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
基于HfO2的阻变存储器抗辐照特性研究
胡绍刚; 张兴尧; 顾野
2013
会议名称2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件
页码163-168
会议日期2013-11-15
会议地点成都
摘要

随着半导体技术的不断发展,晶体管的尺寸不断缩小,在不久的将来将会达到极限,传统的浮栅型存储器将会遭遇巨大的瓶颈。阻变存储器具有作为下一代存储器的巨大潜力。阻变存储器的一个重要运用是在空间射线环境下。本文研究了一种基于HfO2的阻变存储器的伽马辐照总剂量效应,实验结果表明该器件具有良好的抗伽马辐照特性。总剂量为20Mrad (Si)的伽马辐照后,所研究的器件都能正常工作,但是擦除和编程电压降低,高阻态和低阻态的阻值增大。因为该器件是双极型的,擦除和编程电压稍微降低并不会对该器件应用造成影响。高阻态阻值的增大不仅不会使得存储的数据丢失,反而使得存储窗口增大。低阻态的增大有可能使得存储的数据丢失,然而阻变存储器拥有非常大的高低电阻比,辐照后低阻态的稍微增大还远不足以改变数据的存储状态。利用伽马射线引起的移位损伤和原子重排能够对该阻变存储器的伽马辐照效应进行了合理解释。

关键词阻变存储器 抗辐照特性 二氧化铪 伽马射线
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3630
专题材料物理与化学研究室
作者单位电子科技大学微电子与固体电子学院;中国科学院新疆理化技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
胡绍刚,张兴尧,顾野. 基于HfO2的阻变存储器抗辐照特性研究[C],2013:163-168.
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