XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
基于HfO2的阻变存储器抗辐照特性研究
胡绍刚; 张兴尧; 顾野
2013
Conference Name2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件
Pages163-168
Conference Date2013-11-15
Conference Place成都
Abstract

随着半导体技术的不断发展,晶体管的尺寸不断缩小,在不久的将来将会达到极限,传统的浮栅型存储器将会遭遇巨大的瓶颈。阻变存储器具有作为下一代存储器的巨大潜力。阻变存储器的一个重要运用是在空间射线环境下。本文研究了一种基于HfO2的阻变存储器的伽马辐照总剂量效应,实验结果表明该器件具有良好的抗伽马辐照特性。总剂量为20Mrad (Si)的伽马辐照后,所研究的器件都能正常工作,但是擦除和编程电压降低,高阻态和低阻态的阻值增大。因为该器件是双极型的,擦除和编程电压稍微降低并不会对该器件应用造成影响。高阻态阻值的增大不仅不会使得存储的数据丢失,反而使得存储窗口增大。低阻态的增大有可能使得存储的数据丢失,然而阻变存储器拥有非常大的高低电阻比,辐照后低阻态的稍微增大还远不足以改变数据的存储状态。利用伽马射线引起的移位损伤和原子重排能够对该阻变存储器的伽马辐照效应进行了合理解释。

Keyword阻变存储器 抗辐照特性 二氧化铪 伽马射线
Document Type会议论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3630
Collection材料物理与化学研究室
Affiliation电子科技大学微电子与固体电子学院;中国科学院新疆理化技术研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
胡绍刚,张兴尧,顾野. 基于HfO2的阻变存储器抗辐照特性研究[C],2013:163-168.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
基于HfO2的阻变存储器抗辐照特性研究.(1217KB)会议论文 开放获取CC BY-NC-SAView Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[胡绍刚]'s Articles
[张兴尧]'s Articles
[顾野]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[胡绍刚]'s Articles
[张兴尧]'s Articles
[顾野]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[胡绍刚]'s Articles
[张兴尧]'s Articles
[顾野]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
File name: 基于HfO2的阻变存储器抗辐照特性研究.pdf
Format: Adobe PDF
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.