超深亚微米S0I NMOSFET关态应力下的热载流子效应
郑齐文; 余学峰; 崔江维
2012
Conference Name第十届全国博士生学术年会
Pages200-200
Conference Date2012-10-01
Conference Place济南
Abstract

本文对超深亚微米SOI NMOSFET的热载流子效应进行了试验研究。实验结果表明:关态应力条件下,浮体超深亚微米SOl器件具有明显的热载流子效应,其特有的寄生双极效应是器件显著热载流子损伤的重要原因;与前栅晶体管一样,背栅晶体管在关态应力下也表现出显著的热载流子效应,我们认为其产生明显热载流子效应的机理与前栅晶体管相同。相同应力条件下,沟道长度越短,热载流子效应越强,原因在于沟道长度直接决定了寄生双极效应的强度。

KeywordSoi 超深亚微米 寄生双极效应 背栅晶体管 沟道长度 热载流子效应
Funding Organization中国科协 国务院学位委员会办公室
Document Type会议论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3624
Collection新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
材料物理与化学研究室
Affiliation中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
郑齐文,余学峰,崔江维. 超深亚微米S0I NMOSFET关态应力下的热载流子效应[C],2012:200-200.
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