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XJIPC OpenIR  > 新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室  > 会议论文
题名:
超深亚微米S0I NMOSFET关态应力下的热载流子效应
作者: 郑齐文 ; 余学峰 ; 崔江维
会议名称: 第十届全国博士生学术年会
会议日期: 2012
出版日期: 2012
会议地点: 济南
关键词: SOI ; 超深亚微米 ; 寄生双极效应 ; 背栅晶体管 ; 沟道长度 ; 热载流子效应
部门归属: 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011
摘要: 本文对超深亚微米SOI NMOSFET的热载流子效应进行了试验研究。实验结果表明:关态应力条件下,浮体超深亚微米SOl器件具有明显的热载流子效应,其特有的寄生双极效应是器件显著热载流子损伤的重要原因;与前栅晶体管一样,背栅晶体管在关态应力下也表现出显著的热载流子效应,我们认为其产生明显热载流子效应的机理与前栅晶体管相同。相同应力条件下,沟道长度越短,热载流子效应越强,原因在于沟道长度直接决定了寄生双极效应的强度。
语种: 中文
内容类型: 会议论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3624
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郑齐文,余学峰,崔江维. 超深亚微米S0I NMOSFET关态应力下的热载流子效应[C]. 见:第十届全国博士生学术年会. 济南. 2012.
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