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XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室  > 学位论文
题名: 双极线性集成电路的低剂量率辐射损伤增强效应及其加速评估方法研究
作者: 高嵩
答辩日期: 2006-06-13
导师: 任迪远、陆妩
专业: 微电子学与固体电子学
授予单位: 中国科学院研究生院
授予地点: 北京
学位: 硕士
关键词: 双极线性集成电路 ; 低剂量率 ; 辐射损伤 ; 加速评估方法 ; ELDRS
摘要: 随着宇航、太空探测以及卫星技术的不断发展,越来越多的电子元器件应用于空间系统,但有许多研究发现,这些电子元器件中有相当一部分双极器件在长期受到空间低剂量率的电离辐射后会产生低剂量率辐射损伤增强(Enhanced Low Dose RateSensitivity,简称ELDRS)效应,这使得目前实验室评估此类器件所采用的大剂量率辐照评判结果与器件实际抗辐射水平严重不符,从而给航天领域电子系统的可靠性带来极大隐患。因此,找到一种能够在实验室推广的、高效可靠的双极器件加速评估方法具有重要意义。
本文主要研究了双极线性集成电路的基本结构单元双极晶体管和典型运放电路的低剂量率辐射损伤增强效应,提出了三种不同的加速模拟评估方法,并从空间电荷模型角度对它们的物理机制进行了分析。通过研究发现,器件的辐射损伤与延晚生成的界面态有很大关系,通过对辐照及退火条件的改变可以达到增大器件辐射损伤的效果。同时,在对评估方法的研究中,首次得出了一种相对有效的模拟器件ELDRS效应的加速评估方法和一种有关器件评估的评判方法,首次提出了一种对具有ELDRS和TDE效应的JFET输入器件可以采用美军标评估MOS器件的方法进行评估的观点,并发现对于双极输入运放通过变剂量率辐照能够得到比高温恒剂量率辐照更好的结果,而且还能节省辐照时间。总之,上述这些研究成果对于双极器件加速评估方法研究具有重要的指导和借鉴意义。
内容类型: 学位论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3470
Appears in Collections:材料物理与化学研究室_学位论文

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作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所

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高嵩. 双极线性集成电路的低剂量率辐射损伤增强效应及其加速评估方法研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2006.
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