氧化物半导体热敏电阻器的制造方法
杨文,康健,张昭,王大为
1999-10-27
专利权人中国科学院新疆理化技术研究所
公开日期2013-11-27
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明涉及一种氧化物半导体热敏电阻及其制造方法,其主要是以钴、锰、铁的硝酸盐或醋酸盐为原料,采用液相共沉淀法制备材料粉体,加入乳化剂OP进行清洗,然后将粉体进行分解、研磨、预烧后制成。该热敏电阻为环氧密封单端引线珠状,具有体积小,稳定性好,可靠性高等特点,
申请日期1996-12-14
专利号ZL96122177.1
专利状态授权后放弃
申请号96122177.1
文献类型专利
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3378
专题中国科学院新疆理化技术研究所(2002年以前数据)
推荐引用方式
GB/T 7714
杨文,康健,张昭,王大为. 氧化物半导体热敏电阻器的制造方法. ZL96122177.1[P]. 1999-10-27.
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