XJIPC OpenIR  > 环境科学与技术研究室
一种制备蒙脱石原位插层式纳米零价铁的制备方法
贾汉忠; 王传义; 李守柱; 范晓芸
2013-01-02
专利权人中国科学院新疆理化技术研究所
公开日期2013-11-27
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明公开了一种高活性高稳定性蒙脱石负载(亚)纳米零价铁的制备方法,该方法使用蒙脱石为负载体,所制得的零价铁处于蒙脱石层间,且以纳米或亚纳米级原子簇尺度存在,此零价铁较其它类型的纳米零价铁具有更高的反应活性和还原有效性。以蒙脱石为零价铁制备的模板不但可以防止零价铁颗粒的团聚,增强其流动性,还可在很大程度上保护零价铁,免于被水分子氧化。这一制备方法解决了纳米零价铁在合成和应用过程中易团聚、易被水氧化和流动性差的问题。
申请日期2011-06-14
专利号ZL201110158838.X
专利状态授权
申请号201110158838.X
文献类型专利
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3320
专题环境科学与技术研究室
推荐引用方式
GB/T 7714
贾汉忠,王传义,李守柱,等. 一种制备蒙脱石原位插层式纳米零价铁的制备方法. ZL201110158838.X[P]. 2013-01-02.
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