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专利名称: 大尺寸氯硼酸钡非线性光学晶体的制备方法和用途
发明人: 潘世烈 ; 陈兆慧
申请受理号: 201010553377.1
专利授权号: ZL201010553377.1
申请日期: 2010-11-22
授权日期: 2012-07-25
专利权人: 中国科学院新疆理化技术研究所
专利类别: 发明
授予国别: 中国
公开日期: 2013-11-27
状态: 授权
摘要: 本发明涉及一种大尺寸氯硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途,该晶体的分子式为Ba2B5O9 Cl,采用高温溶液法,以助熔剂生长晶体,该晶体紫外截至边在230nm以下,非线性光学效应约为KDP(KH2PO4)的6倍;该晶体具有倍频效应大,机械强度大,易加工,不潮解等特点,同时制备速度快,操作简单,成本低,所制晶体尺寸大等优点,适用于制作非线性的光学器件。在倍频转换,光参量振荡器等非线性等光学器件中可以得到广泛的应用。
内容类型: 专利
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3298
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