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专利名称: 一种高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器
发明人: 张惠敏 ; 常爱民 ; 王伟,
申请受理号: 200910113608.4
专利授权号: ZL200910113608.4
申请日期: 2009-12-28
授权日期: 2012-09-05
专利权人: 中国科学院新疆理化技术研究所
专利类别: 发明
授予国别: 中国
公开日期: 2013-11-27
状态: 授权
摘要: 本发明涉及一种高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器,该电阻是由原料镧、铬、铝、硅的氧化物和原料锰、镍、铬、锆的氧化物分别进行研磨,煅烧,制得颗粒大小均匀,分散性好的单一相材料,再经双相混合,研磨,高温烧结,封装,即可得到高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器,其参数为R0℃=12KΩ±2%,B值为2050K±3%。本发明具有制备工艺简单,操作方便和质量稳定的优点,可在较宽温区内进行测温、控温及线路补偿,与共沉淀法相比大大降低了元件的生产成本,同时节约能源、生产效率显著提高。
内容类型: 专利
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3272
Appears in Collections:材料物理与化学研究室_专利

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