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专利名称: 掺金、掺铂单晶硅互换热敏电阻及其制作方法
发明人: 韦风辉,李国华,柳培立
申请受理号: 87103486.3
专利授权号: ZL87103486.3
申请日期: 1987-05-07
授权日期: 1988-12-01
专利权人: 中国科学院新疆理化技术研究所
专利类别: 发明
授予国别: 中国
公开日期: 2013-11-27
状态: 授权后放弃
摘要: 本发明提供一种掺金、掺铂单晶硅互换热敏电阻及其制作方法,属于温度敏感器技术领域。它主要采用在P型单晶硅中掺入金、铂两种杂质的方法,使电阻呈现负温度特征,其B值为3850K,B值的偏差分布小于±0.3%,使用温区为-50℃~100℃之间。由于该电阻元件的B值适中,互换性能好,又易制作,成本低廉,不失为一种用于配制具有线性输出的线性组件的理想元件。并可广泛适用于医疗仪器、食品工业、家用电器等行业的测温、控温等实用技术领域。
内容类型: 专利
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3267
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韦风辉,李国华,柳培立,掺金、掺铂单晶硅互换热敏电阻及其制作方法,87103486.3,1988
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