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XJIPC OpenIR  > 中国科学院新疆理化技术研究所(2002年以前数据)  > 专利
专利名称: 掺金硅互换热敏电阻
发明人: 阿帕尔,陶国强,陶明德
申请受理号: 85102901.9
专利授权号: ZL85102901.9
申请日期: 1985-04-01
授权日期: 1988-06-23
专利权人: 中国科学院新疆理化技术研究所
专利类别: 发明
授予国别: 中国
公开日期: 2013-11-27
状态: 授权后放弃
摘要: 本发明属于半导体温度传感器领域。本发明采用氯化金涂层扩散,当金和本底净杂质浓度之比为1~1.5时,形成稳定性好,B值为来4000K~6000K,其均匀度优于0.1%的掺金硅热敏材料。利用该材料的双面高阻层做成串联式热敏电阻,经机械调值后,元件在-30~+50℃温区阻值互换精度为0.2%,高温(85℃)存放一年的稳定性优于0.3%。本发明可广泛地应用于工业、农业,尤其是医学、生物工程、化学等多方面的温度测量与控制。
内容类型: 专利
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3262
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阿帕尔,陶国强,陶明德,掺金硅互换热敏电阻,85102901.9,1988
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