低压压敏电阻材料及工艺
康雪雅
1995-08-20
专利权人中国科学院新疆理化技术研究所
公开日期2013-11-27
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明涉及一种半导体陶瓷材料,低压压敏电阻材料及工艺,该材料主要是以氧化锌为主体,再加入适当的添加物金属氧化物,用陶瓷工艺制备而成,根据添加物的种类,烧结工艺的不同,可制得压敏电压从几伏到几千伏的压敏电阻器,该工艺简单,生产成本低,制做方便,其产品所得参数优于进口同类产品。
申请日期1992-04-23
专利号ZL92102389.8
专利状态授权后放弃
申请号92102389.8
文献类型专利
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3248
专题中国科学院新疆理化技术研究所(2002年以前数据)
推荐引用方式
GB/T 7714
康雪雅. 低压压敏电阻材料及工艺. ZL92102389.8[P]. 1995-08-20.
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