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专利名称: 微型压敏电阻芯片材料及其制造方法
发明人: 康雪雅,陶明德,韩英
申请受理号: 97112814.6
专利授权号: LZ97112814.6
申请日期: 1997-06-18
授权日期: 1999-10-27
专利权人: 中国科学院新疆理化技术研究所
专利类别: 发明
授予国别: 中国
公开日期: 2013-11-27
状态: 专利权的终止
摘要: 本发明涉及半导体材料,尤其是微型压每电阻芯片材料及其制造方法,该芯片是以化学纯乙酸锌为主体,以三乙醇胺为溶剂,以柠檬酸为络合物,再加入有机盐,无机盐,稀土盐,用溶胶-凝胶法合成而成多元纳米压敏粉体材料,再用冷等静压技术和半导体晶片加工方法制成微型压敏电阻芯片,该芯片压敏电压范围从6-450V,非线性系数可从10-40,通流能力从2-50A,芯片尺寸从0.5×0.5-5×5mm↑[2]可调,根据粉体粒径,配方、成型,烧结、加工方法不同,可制得压敏电压从几伏到几百伏的压敏电阻芯片。
内容类型: 专利
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3221
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康雪雅,陶明德,韩英,微型压敏电阻芯片材料及其制造方法,97112814.6,1999
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