星用辐射效应探测器
范隆; 任迪远; 严荣良
2003-10-22
专利权人中国科学院新疆理化技术研究所
公开日期2013-11-27
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种与星上数据采集系统配套使用,检测粒子辐射对CMOS集成电路影响的星用CMOS辐射效应探测器,能完成对电离辐射敏感的CC4007电路N沟管阈电压值检测。主要由测量控制电路、恒流源电路、电压输出接口电路和被测CMOS4007组成,采用星上数据采集系统给出的一路测量启动脉冲控制,按时序对两片4007中6个N沟管阈电压依次测量,输出模拟电压信号送至星上数据采集系统的模数转换器ADC0816。该探测器具有功耗低、可靠性高的特点。
申请日期1999-02-02
专利号ZL99102022.7
专利状态专利权的终止
申请号99102022.7
文献类型专利
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3172
专题中国科学院新疆理化技术研究所(2002年以前数据)
推荐引用方式
GB/T 7714
范隆,任迪远,严荣良. 星用辐射效应探测器. ZL99102022.7[P]. 2003-10-22.
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