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专利名称: 对管式差分输出PMOS辐射剂量计
发明人: 郭旗 ; 任迪远
申请受理号: 200410094862.1
专利授权号: ZL200410094862.1
申请日期: 2004-11-17
授权日期: 2007-01-24
专利权人: 中国科学院新疆理化技术研究所
专利类别: 发明
授予国别: 中国
公开日期: 2013-11-27
状态: 专利权的终止
摘要: 本发明涉及一种对管式差分输出PMOS辐射剂量计,该剂量计包括对管式差分输出PMOS剂量计探头、测量偏置方法、剂量记录读出技术、温度补偿方法和退火效应修正方法;利用双p-沟道金属-氧化物-半导体晶体管pMOSFET构成的对管式差分输出的PMOS剂量测量探头;利用该探头构成的辐射剂量计;该剂量计的测量技术、读出技术;以及该剂量计所采用的温度补偿技术和对pMOSFET辐射响应退火效应的修正技术。
内容类型: 专利
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3143
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