中国科学院新疆理化技术研究所机构知识库
Advanced  
XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室  > 专利
专利名称:
对管式差分输出PMOS辐射剂量计
发明人: 郭旗 ; 任迪远
申请受理号: 200410094862.1
专利授权号: ZL200410094862.1
申请日期: 2004-11-17
授权日期: 2007-01-24
专利权人: 中国科学院新疆理化技术研究所
专利类别: 发明
授予国别: 中国
公开日期: 2013-11-27
状态: 专利权的终止
摘要: 本发明涉及一种对管式差分输出PMOS辐射剂量计,该剂量计包括对管式差分输出PMOS剂量计探头、测量偏置方法、剂量记录读出技术、温度补偿方法和退火效应修正方法;利用双p-沟道金属-氧化物-半导体晶体管pMOSFET构成的对管式差分输出的PMOS剂量测量探头;利用该探头构成的辐射剂量计;该剂量计的测量技术、读出技术;以及该剂量计所采用的温度补偿技术和对pMOSFET辐射响应退火效应的修正技术。
内容类型: 专利
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3143
Appears in Collections:材料物理与化学研究室_专利

Files in This Item:

There are no files associated with this item.


Recommended Citation:
郭旗,任迪远. 对管式差分输出PMOS辐射剂量计. ZL200410094862.1. 2007-01-24.
Service
Recommend this item
Sava as my favorate item
Show this item's statistics
Export Endnote File
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[郭旗]'s Articles
[任迪远]'s Articles
CSDL cross search
Similar articles in CSDL Cross Search
[郭旗]‘s Articles
[任迪远]‘s Articles
Related Copyright Policies
Null
Social Bookmarking
Add to CiteULike Add to Connotea Add to Del.icio.us Add to Digg Add to Reddit
所有评论 (0)
暂无评论
 
评注功能仅针对注册用户开放,请您登录
您对该条目有什么异议,请填写以下表单,管理员会尽快联系您。
内 容:
Email:  *
单位:
验证码:   刷新
您在IR的使用过程中有什么好的想法或者建议可以反馈给我们。
标 题:
 *
内 容:
Email:  *
验证码:   刷新

Items in IR are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

 

 

Valid XHTML 1.0!
Powered by CSpace