XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻
巴维真; 陈朝阳; 丛秀云; 蔡志军; 崔志明
2008-04-02
专利权人中国科学院新疆理化技术研究所
公开日期2013-11-27
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明涉及一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻,该热敏电阻采用真空气相扩散方法,将锌原子作为掺杂剂,掺入n型单晶硅中;利用锌在n型单晶硅中的杂质补偿性质,制备出珠状高B值热敏电阻器。该电阻器适用于温度计(如体温计)使用的热敏电阻必须是高B值的元件;集成电路板上表面贴片技术使用的热敏元件要求采用高B值片式元件;电动机等设备中,需要抑制机器启动时较强的浪涌电流,对设备进行保护;在各类充电设备中,需要使用高B值的热敏电阻抑制浪涌电流,延长电池的寿命。
申请日期2004-11-05
专利号ZL200410092027.4
专利状态授权
申请号200410092027.4
文献类型专利
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3136
专题材料物理与化学研究室
推荐引用方式
GB/T 7714
巴维真,陈朝阳,丛秀云,等. 一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻. ZL200410092027.4[P]. 2008-04-02.
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