XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
过渡金属多重掺杂负温度系数单晶硅热敏电阻
陈朝阳; 范艳伟; 丛秀云
2010-08-11
专利权人中国科学院新疆理化技术研究所
公开日期2013-11-27
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明涉及一种过渡金属多重掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻,该热敏电阻采用涂源高温扩散方法,将过渡金属元素锰和铜作为掺杂剂,掺入P型单晶硅中;利用锰和铜在P型单晶硅中的杂质补偿性质,制备出珠状高B值低阻值热敏电阻,电学参数为50Ω—1.2 KΩ,材料B值4100—4500K。
申请日期2007-10-24
专利号ZL200710180002.3
专利状态授权
申请号200710180002.3
文献类型专利
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3095
专题材料物理与化学研究室
推荐引用方式
GB/T 7714
陈朝阳,范艳伟,丛秀云. 过渡金属多重掺杂负温度系数单晶硅热敏电阻. ZL200710180002.3[P]. 2010-08-11.
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