中国科学院新疆理化技术研究所机构知识库
Advanced  
XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室  > 专利
专利名称:
过渡金属多重掺杂负温度系数单晶硅热敏电阻
发明人: 陈朝阳 ; 范艳伟 ; 丛秀云
申请受理号: 200710180002.3
专利授权号: ZL200710180002.3
申请日期: 2007-10-24
授权日期: 2010-08-11
专利权人: 中国科学院新疆理化技术研究所
专利类别: 发明
授予国别: 中国
公开日期: 2013-11-27
状态: 授权
摘要: 本发明涉及一种过渡金属多重掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻,该热敏电阻采用涂源高温扩散方法,将过渡金属元素锰和铜作为掺杂剂,掺入P型单晶硅中;利用锰和铜在P型单晶硅中的杂质补偿性质,制备出珠状高B值低阻值热敏电阻,电学参数为50Ω—1.2 KΩ,材料B值4100—4500K。
内容类型: 专利
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3095
Appears in Collections:材料物理与化学研究室_专利

Files in This Item:

There are no files associated with this item.


Recommended Citation:
陈朝阳,范艳伟,丛秀云. 过渡金属多重掺杂负温度系数单晶硅热敏电阻. ZL200710180002.3. 2010-08-11.
Service
Recommend this item
Sava as my favorate item
Show this item's statistics
Export Endnote File
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[陈朝阳]'s Articles
[范艳伟]'s Articles
[丛秀云]'s Articles
CSDL cross search
Similar articles in CSDL Cross Search
[陈朝阳]‘s Articles
[范艳伟]‘s Articles
[丛秀云]‘s Articles
Related Copyright Policies
Null
Social Bookmarking
Add to CiteULike Add to Connotea Add to Del.icio.us Add to Digg Add to Reddit
所有评论 (0)
暂无评论
 
评注功能仅针对注册用户开放,请您登录
您对该条目有什么异议,请填写以下表单,管理员会尽快联系您。
内 容:
Email:  *
单位:
验证码:   刷新
您在IR的使用过程中有什么好的想法或者建议可以反馈给我们。
标 题:
 *
内 容:
Email:  *
验证码:   刷新

Items in IR are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

 

 

Valid XHTML 1.0!
Powered by CSpace