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专利名称: 过渡金属多重掺杂负温度系数单晶硅热敏电阻
发明人: 陈朝阳 ; 范艳伟 ; 丛秀云
申请受理号: 200710180002.3
专利授权号: ZL200710180002.3
申请日期: 2007-10-24
授权日期: 2010-08-11
专利权人: 中国科学院新疆理化技术研究所
专利类别: 发明
授予国别: 中国
公开日期: 2013-11-27
状态: 授权
摘要: 本发明涉及一种过渡金属多重掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻,该热敏电阻采用涂源高温扩散方法,将过渡金属元素锰和铜作为掺杂剂,掺入P型单晶硅中;利用锰和铜在P型单晶硅中的杂质补偿性质,制备出珠状高B值低阻值热敏电阻,电学参数为50Ω—1.2 KΩ,材料B值4100—4500K。
内容类型: 专利
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3095
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