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专利名称:
金和镍掺杂单晶硅片式负温度系数热敏电阻及其制备方法
发明人: 陈朝阳 ; 范艳伟 ; 董茂进 ; 丛秀云 ; 陶明德 ; 王军华
申请受理号: 200810072972.6
专利授权号: ZL200810072972.6
申请日期: 2008-10-15
授权日期: 2011-03-23
专利权人: 中国科学院新疆理化技术研究所
专利类别: 发明
授予国别: 中国
公开日期: 2013-11-27
状态: 授权
摘要: 本发明涉及金和镍掺杂单晶硅片式热敏电阻,该热敏电阻采用涂源高温扩散方法,将过渡金属元素金和镍作为掺杂剂,掺入n型单晶硅中,利用金和镍在n型单晶硅中的电补偿性质,制备出负温度系数热敏材料,然后在精密划片机上划片,芯片两端制作电极,其电极采用镍、银两层结构,实现了硅晶体和电极之间的欧姆接触。所用硅热敏功能材料以单晶硅半导体为基础,掺杂金和镍金属原子,形成深能级俘获中心,使材料产生热敏特性,经过严格控制掺杂原子在硅中的浓度及其分布,易于实现用氧化物陶瓷热敏材料难以实现的高B值低阻值元件,并提高热敏材料和元件的一致性、重复性、稳定性。
内容类型: 专利
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3059
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陈朝阳,范艳伟,董茂进,等. 金和镍掺杂单晶硅片式负温度系数热敏电阻及其制备方法. ZL200810072972.6. 2011-03-23.
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