XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
金和镍掺杂单晶硅片式负温度系数热敏电阻及其制备方法
陈朝阳; 范艳伟; 董茂进; 丛秀云; 陶明德; 王军华
2011-03-23
专利权人中国科学院新疆理化技术研究所
公开日期2013-11-27
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明涉及金和镍掺杂单晶硅片式热敏电阻,该热敏电阻采用涂源高温扩散方法,将过渡金属元素金和镍作为掺杂剂,掺入n型单晶硅中,利用金和镍在n型单晶硅中的电补偿性质,制备出负温度系数热敏材料,然后在精密划片机上划片,芯片两端制作电极,其电极采用镍、银两层结构,实现了硅晶体和电极之间的欧姆接触。所用硅热敏功能材料以单晶硅半导体为基础,掺杂金和镍金属原子,形成深能级俘获中心,使材料产生热敏特性,经过严格控制掺杂原子在硅中的浓度及其分布,易于实现用氧化物陶瓷热敏材料难以实现的高B值低阻值元件,并提高热敏材料和元件的一致性、重复性、稳定性。
申请日期2008-10-15
专利号ZL200810072972.6
专利状态授权
申请号200810072972.6
文献类型专利
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3059
专题材料物理与化学研究室
推荐引用方式
GB/T 7714
陈朝阳,范艳伟,董茂进,等. 金和镍掺杂单晶硅片式负温度系数热敏电阻及其制备方法. ZL200810072972.6[P]. 2011-03-23.
条目包含的文件
条目无相关文件。
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[陈朝阳]的文章
[范艳伟]的文章
[董茂进]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[陈朝阳]的文章
[范艳伟]的文章
[董茂进]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[陈朝阳]的文章
[范艳伟]的文章
[董茂进]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。