中国科学院新疆理化技术研究所机构知识库
Advanced  
XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室  > 专利
专利名称: 一种深低温氧化物热敏电阻材料
发明人: 妥万禄 ; 兰玉岐
申请受理号: 200510106550.2
专利授权号: ZL200510106550.2
申请日期: 2005-09-30
授权日期: 2009-10-28
专利权人: 中国科学院新疆理化技术研究所
专利类别: 发明
授予国别: 中国
公开日期: 2013-11-27
状态: 授权
摘要: 本发明涉及一种深低温氧化物热敏电阻材料,该材料是用碳酸锶或氧化锶和三氧化二钴进行直接固相反应或用硝酸盐采用化学方法合成非化学计量的钙钛矿结构氧化物SrCoO1-xNixO3-5(0≤δ≤0.1,0≤δ≤0.5)材料,经测试其参数与已有的在液氧、液氮、液氢温度下使用的定型产品相比,得出的元件可在4.2K-20K温度下使用,且使用温区比较宽,由于不含稀土元素也降低了成本。
内容类型: 专利
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3049
Appears in Collections:材料物理与化学研究室_专利

Files in This Item:

There are no files associated with this item.

Service
Recommend this item
Sava as my favorate item
Show this item's statistics
Export Endnote File
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[妥万禄]'s Articles
[兰玉岐]'s Articles
CSDL cross search
Similar articles in CSDL Cross Search
[妥万禄]‘s Articles
[兰玉岐]‘s Articles
Related Copyright Policies
Null
Social Bookmarking
Add to CiteULike Add to Connotea Add to Del.icio.us Add to Digg Add to Reddit
所有评论 (0)
暂无评论
 
评注功能仅针对注册用户开放,请您登录
您对该条目有什么异议,请填写以下表单,管理员会尽快联系您。
内 容:
Email:  *
单位:
验证码:   刷新
您在IR的使用过程中有什么好的想法或者建议可以反馈给我们。
标 题:
 *
内 容:
Email:  *
验证码:   刷新

Items in IR are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

 

 

Valid XHTML 1.0!
Powered by CSpace