学科主题辐射物理与技术
抗高电离辐射MOS新介质与损伤模拟分析技术的研究
张国强; 王国彬; 严荣良; 任迪远; 余学峰; 高剑侠; 罗来会; 陆妩; 范隆; 高文钰; 郭旗; 魏锡智
获奖类别新疆维吾尔自治区科技进步奖;
获奖等级二等奖
1995
项目归属中国科学院新疆理化技术研究所
产权排名中国科学院新疆理化技术研究所
文献类型成果
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2950
专题中国科学院新疆理化技术研究所(2002年以前数据)
材料物理与化学研究室
推荐引用方式
GB/T 7714
张国强,王国彬,严荣良,等. 抗高电离辐射MOS新介质与损伤模拟分析技术的研究. 新疆维吾尔自治区科技进步奖;. 1995.
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