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XJIPC OpenIR  > 中国科学院新疆理化技术研究所(2002年以前数据)  > 成果
学科主题: 辐射物理与技术
成果名称: 抗高电离辐射MOS新介质与损伤模拟分析技术的研究
主要完成人: 张国强 ; 王国彬 ; 严荣良 ; 任迪远 ; 余学峰 ; 高剑侠 ; 罗来会 ; 陆妩 ; 范隆 ; 高文钰 ; 郭旗 ; 魏锡智
获奖类别: 新疆维吾尔自治区科技进步奖;
获奖等级: 二等奖
获奖日期: 1995
项目归属: 中国科学院新疆理化技术研究所
产权排名: 中国科学院新疆理化技术研究所
内容类型: 成果
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2950
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张国强;王国彬;严荣良;任迪远;余学峰;高剑侠;罗来会;陆妩;范隆;高文钰;郭旗;魏锡智.抗高电离辐射MOS新介质与损伤模拟分析技术的研究.1995
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