不同规模SRAM辐射损伤效应的研究
卢健; 余学峰; 郑齐文; 崔江维; 胥佳灵
2013
发表期刊微电子学
ISSN1004-3365
卷号43期号:3页码:426-430
摘要

通过对ETC公司的商用256kb和1Mb CMOS SRAM器件在不同偏置条件(包括静态偏置和动态读写偏置)下进行电离辐射效应的研究,获得了SRAM器件电气参数和功能出错数随总剂量的响应关系。实验结果表明,功耗电流随累积剂量的增加变化明显,可以作为表征SRAM辐射损伤的敏感参数,但功能出错数与功耗电流的变化不同步,与功耗电流没有必然联系,原因是功能出错主要由栅氧阈值电压负漂引起,而功耗电流的增加主要由栅氧和场氧阈值电压负漂造成的漏电引起。

关键词静态随机存储器 总剂量效应 阈值电压
收录类别CSCD
CSCD记录号CSCD:4860603
引用统计
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2565
专题新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院;新疆大学
推荐引用方式
GB/T 7714
卢健,余学峰,郑齐文,等. 不同规模SRAM辐射损伤效应的研究[J]. 微电子学,2013,43(3):426-430.
APA 卢健,余学峰,郑齐文,崔江维,&胥佳灵.(2013).不同规模SRAM辐射损伤效应的研究.微电子学,43(3),426-430.
MLA 卢健,et al."不同规模SRAM辐射损伤效应的研究".微电子学 43.3(2013):426-430.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
不同规模SRAM辐射损伤效应的研究.pd(1353KB)期刊论文作者接受稿开放获取CC BY-NC-SA浏览 请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[卢健]的文章
[余学峰]的文章
[郑齐文]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[卢健]的文章
[余学峰]的文章
[郑齐文]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[卢健]的文章
[余学峰]的文章
[郑齐文]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
文件名: 不同规模SRAM辐射损伤效应的研究.pdf
格式: Adobe PDF
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。