中国科学院新疆理化技术研究所机构知识库
Advanced  
XJIPC OpenIR  > 新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室  > 期刊论文
题名: 不同规模SRAM辐射损伤效应的研究
作者: 卢健; 余学峰; 郑齐文; 崔江维; 胥佳灵
关键词: 静态随机存储器 ; 总剂量效应 ; 阈值电压
刊名: 微电子学
发表日期: 2013
卷: 43, 期:3, 页:426-430
摘要: 通过对ETC公司的商用256kb和1Mb CMOS SRAM器件在不同偏置条件(包括静态偏置和动态读写偏置)下进行电离辐射效应的研究,获得了SRAM器件电气参数和功能出错数随总剂量的响应关系。实验结果表明,功耗电流随累积剂量的增加变化明显,可以作为表征SRAM辐射损伤的敏感参数,但功能出错数与功耗电流的变化不同步,与功耗电流没有必然联系,原因是功能出错主要由栅氧阈值电压负漂引起,而功耗电流的增加主要由栅氧和场氧阈值电压负漂造成的漏电引起。
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2565
Appears in Collections:新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室_期刊论文

Files in This Item:
File Name/ File Size Content Type Version Access License
不同规模SRAM辐射损伤效应的研究.pdf(1353KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院;新疆大学

Recommended Citation:
卢健,余学峰,郑齐文,等. 不同规模SRAM辐射损伤效应的研究[J]. 微电子学,2013,43(3):426-430.
Service
Recommend this item
Sava as my favorate item
Show this item's statistics
Export Endnote File
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[卢健]'s Articles
[余学峰]'s Articles
[郑齐文]'s Articles
CSDL cross search
Similar articles in CSDL Cross Search
[卢健]‘s Articles
[余学峰]‘s Articles
[郑齐文]‘s Articles
Related Copyright Policies
Null
Social Bookmarking
Add to CiteULike Add to Connotea Add to Del.icio.us Add to Digg Add to Reddit
文件名: 不同规模SRAM辐射损伤效应的研究.pdf
格式: Adobe PDF
所有评论 (0)
暂无评论
 
评注功能仅针对注册用户开放,请您登录
您对该条目有什么异议,请填写以下表单,管理员会尽快联系您。
内 容:
Email:  *
单位:
验证码:   刷新
您在IR的使用过程中有什么好的想法或者建议可以反馈给我们。
标 题:
 *
内 容:
Email:  *
验证码:   刷新

Items in IR are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

 

 

Valid XHTML 1.0!
Powered by CSpace