不同规模SRAM辐射损伤效应的研究
卢健; 余学峰; 郑齐文; 崔江维; 胥佳灵
2013
Source Publication微电子学
ISSN1004-3365
Volume43Issue:3Pages:426-430
Abstract

通过对ETC公司的商用256kb和1Mb CMOS SRAM器件在不同偏置条件(包括静态偏置和动态读写偏置)下进行电离辐射效应的研究,获得了SRAM器件电气参数和功能出错数随总剂量的响应关系。实验结果表明,功耗电流随累积剂量的增加变化明显,可以作为表征SRAM辐射损伤的敏感参数,但功能出错数与功耗电流的变化不同步,与功耗电流没有必然联系,原因是功能出错主要由栅氧阈值电压负漂引起,而功耗电流的增加主要由栅氧和场氧阈值电压负漂造成的漏电引起。

Keyword静态随机存储器 总剂量效应 阈值电压
Indexed ByCSCD
CSCD IDCSCD:4860603
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2565
Collection新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
材料物理与化学研究室
Affiliation中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院;新疆大学
Recommended Citation
GB/T 7714
卢健,余学峰,郑齐文,等. 不同规模SRAM辐射损伤效应的研究[J]. 微电子学,2013,43(3):426-430.
APA 卢健,余学峰,郑齐文,崔江维,&胥佳灵.(2013).不同规模SRAM辐射损伤效应的研究.微电子学,43(3),426-430.
MLA 卢健,et al."不同规模SRAM辐射损伤效应的研究".微电子学 43.3(2013):426-430.
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