XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究
高博; 刘刚; 王立新; 韩郑生; 余学峰; 任迪远; 孙静
2013
发表期刊原子能科学技术
ISSN1000-6931
卷号47期号:5页码:848-853
摘要

为研究PMOSFET的低剂量率辐射损伤增强效应,本文对4007电路中PMOSFET在不同剂量率、不同偏置条件下的辐射响应特性及高剂量率辐照后不同温度下的退火效应进行了讨论。实验结果表明:相比高剂量率,低剂量率辐照时PMOSFET阈值电压漂移更明显,此种PMOSFET具有低剂量率辐射损伤增强效应;高剂量率辐照后进行室温退火时,由于界面陷阱电荷的影响,PMOSFET阈值电压继续负向漂移,退火温度越高,阈值电压回漂越明显;辐照时,零偏置条件下器件阈值电压的漂移较负偏置时的大,认为是最劣偏置。

关键词Pmosfet 退火效应 低剂量率辐射损伤增强效应
收录类别CSCD
CSCD记录号CSCD:4843822
引用统计
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2529
专题材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
高博,刘刚,王立新,等. PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究[J]. 原子能科学技术,2013,47(5):848-853.
APA 高博.,刘刚.,王立新.,韩郑生.,余学峰.,...&孙静.(2013).PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究.原子能科学技术,47(5),848-853.
MLA 高博,et al."PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究".原子能科学技术 47.5(2013):848-853.
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