大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法研究
周东; 郭旗; 李豫东; 李明; 席善斌; 许发月; 王飞
2012
Source Publication原子能科学技术
ISSN1000-6931
Volume46Issue:11Pages:1388-1392
Other Abstract

空间辐射环境会对电子器件产生辐射损伤。由于商用器件性能 普遍优于抗辐射加固器件,所以从商用器件中筛选出抗辐射性能优异的器件将在一定程度上提高空间电子系统的可靠性。结合数学回归分析与物理应力实验的方法, 研究了集成电路抗辐射性能无损筛选技术。通过不同的外界能量注入及总剂量辐照实验,探究电路典型参数的应变情况与电路耐辐射性能的关系,并确定其辐射敏感 参数;建立预测电路抗辐射性能的多元线性回归方程,并对应力条件下的回归方程进行辐照实验验证。结果显示,物理应力实验与数学回归分析结合的筛选方法减小 了实验值与预测值的偏差,提高了预估方程的拟合优度和显著程度,使预估方程处于置信区间。

Keyword无损筛选 辐射损伤 回归分析 物理应力
Indexed ByCSCD
CSCD IDCSCD:4746556
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2432
Collection新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
材料物理与化学研究室
Affiliation中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院
Recommended Citation
GB/T 7714
周东,郭旗,李豫东,等. 大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法研究[J]. 原子能科学技术,2012,46(11):1388-1392.
APA 周东.,郭旗.,李豫东.,李明.,席善斌.,...&王飞.(2012).大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法研究.原子能科学技术,46(11),1388-1392.
MLA 周东,et al."大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法研究".原子能科学技术 46.11(2012):1388-1392.
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