半导体材料电子非电离能损的分析法计算
于新; 何承发; 郭旗; 张兴尧; 吴雪; 张乐情; 卢建; 胥佳灵; 胡天乐
2012
发表期刊核电子学与探测技术
ISSN0258-0934
卷号32期号:7页码:820-825
摘要

非电离能损(NIEL)可用于预测半导体器件在空间辐射环境中位移损伤引起的性能参数退化,计算模型选用经典NIEL模型,计算了能量范围为100 keV~200 MeV的电子入硅、锗、砷化镓材料的NIEL,及微分散射截面、林哈德因子和位移原子数量等信息。考虑到经典NIEL模型在入射电子能量较低的情况下得出的位移原子数量不够精确,所以用分子动力学(MD)方法加以改良,得出在低能区域更真实的位移原子数量,用于修正经典NIEL,并分析了MD模型下新的位移阈值能对计算结果的影响。

关键词非电离能损 Mott散射截面 林哈德因子 分子动力学模型
收录类别CSCD
CSCD记录号CSCD:4673147
引用统计
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2430
专题新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院
推荐引用方式
GB/T 7714
于新,何承发,郭旗,等. 半导体材料电子非电离能损的分析法计算[J]. 核电子学与探测技术,2012,32(7):820-825.
APA 于新.,何承发.,郭旗.,张兴尧.,吴雪.,...&胡天乐.(2012).半导体材料电子非电离能损的分析法计算.核电子学与探测技术,32(7),820-825.
MLA 于新,et al."半导体材料电子非电离能损的分析法计算".核电子学与探测技术 32.7(2012):820-825.
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