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题名: 不同总剂量辐射条件下的高速CMOS电路时间参数退化特性及其机理研究
作者: 余学峰 ; 艾尔肯 ; 陆妩 ; 郭旗 ; 任迪远
会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
会议日期: 2007
出版日期: 2007
会议地点: 重庆
收录类别: wanfang
主办者: 中国核学会
摘要: 本文对不同辐射环境条件(不同辐照剂量率,不同辐照偏置)下的高速54HC CMOS电路的时间参数响应特性进行了研究,并对其辐照退化及失效机制进行了探讨,取得了一些有价值的研究结果。
语种: 中文
内容类型: 会议论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2391
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余学峰;艾尔肯;陆妩;郭旗;任迪远.不同总剂量辐射条件下的高速CMOS电路时间参数退化特性及其机理研究.见:.,,2007,
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