XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
不同总剂量辐射条件下的高速CMOS电路时间参数退化特性及其机理研究
余学峰; 艾尔肯; 陆妩; 郭旗; 任迪远
2007
会议名称第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
会议日期2007
会议地点重庆
摘要

本文对不同辐射环境条件(不同辐照剂量率,不同辐照偏置)下的高速54HC CMOS电路的时间参数响应特性进行了研究,并对其辐照退化及失效机制进行了探讨,取得了一些有价值的研究结果。

关键词时间特性 总剂量辐照 辐照损伤 Cmos
主办者中国核学会
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2391
专题材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
余学峰,艾尔肯,陆妩,等. 不同总剂量辐射条件下的高速CMOS电路时间参数退化特性及其机理研究[C],2007.
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