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题名: JFET输入运算放大器的ELDRS效应及加速损伤方法初探
作者: 陆妩 ; 任迪远 ; 郭旗 ; 余学峰
会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
会议日期: 2007
出版日期: 2007
会议地点: 重庆
收录类别: wanfang
主办者: 中国核学会
摘要: 介绍了二种不同型号的JFET输入运算放大器在不同剂量率辐照下的响应规律和退火特性,及在三种不同加速评估方法中的模拟结果。总剂量实验结果显示:不同于双极类器件,JFET输入运放既有ELDRS效应又有时间相关效应;模拟结果表明:采用美军标针对双极类混合电路的加速评估方法,不能有效地模拟出JFET输入运放ELDRS效应的最大损伤,而采用与MOS器件损伤特性相关的实验方法进行评估,则能获得较好的实验结果。文中对引起这种现象的机理进行了分析和探讨.
语种: 中文
内容类型: 会议论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2389
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