XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
JFET输入运算放大器的ELDRS效应及加速损伤方法初探
陆妩; 任迪远; 郭旗; 余学峰
2007
会议名称第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
会议日期2007
会议地点重庆
摘要

介绍了二种不同型号的JFET输入运算放大器在不同剂量率辐照下的响应规律和退火特性,及在三种不同加速评估方法中的模拟结果。总剂量实验结果显示:不同于双极类器件,JFET输入运放既有ELDRS效应又有时间相关效应;模拟结果表明:采用美军标针对双极类混合电路的加速评估方法,不能有效地模拟出JFET输入运放ELDRS效应的最大损伤,而采用与MOS器件损伤特性相关的实验方法进行评估,则能获得较好的实验结果。文中对引起这种现象的机理进行了分析和探讨.

关键词Jfet 运算放大器 伽马射线辐射 剂量率 加速评估
主办者中国核学会
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2389
专题材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
陆妩,任迪远,郭旗,等. JFET输入运算放大器的ELDRS效应及加速损伤方法初探[C],2007.
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