XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
不同电子通量下NPN晶体管的辐照损伤研究
郑玉展; 陆妩; 任迪远; 郭旗; 学锋; 吕晓龙; 王义元
2008
Conference Name第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会
Conference Date2008-07-15
Conference Place乌鲁木齐
Abstract

本文研究了NPN晶体管在高低电子通量下的辐射效应。研究结果发现,不同电子通量下辐照到相同电子注量,对NPN晶体管造成的辐照损伤不同.低电子通量辐射下,晶体管的损伤明显大于高通量下的辐照结果,这与60COγ辐射下的低剂量率辐射损伤增强效应相类似。文中对出现这一现象的损伤机制进行了探讨。

Keyword电子辐照 晶体管 辐照损伤 辐射效应 损伤机制 电子通量
Funding Organization中国核学会中国电子学会
Document Type会议论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2386
Collection材料物理与化学研究室
Affiliation中国科学院新疆理化技术研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
郑玉展,陆妩,任迪远,等. 不同电子通量下NPN晶体管的辐照损伤研究[C],2008.
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