XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
不同电子通量下NPN晶体管的辐照损伤研究
郑玉展; 陆妩; 任迪远; 郭旗; 学锋; 吕晓龙; 王义元
2008
会议名称第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会
会议日期2008-07-15
会议地点乌鲁木齐
摘要

本文研究了NPN晶体管在高低电子通量下的辐射效应。研究结果发现,不同电子通量下辐照到相同电子注量,对NPN晶体管造成的辐照损伤不同.低电子通量辐射下,晶体管的损伤明显大于高通量下的辐照结果,这与60COγ辐射下的低剂量率辐射损伤增强效应相类似。文中对出现这一现象的损伤机制进行了探讨。

关键词电子辐照 晶体管 辐照损伤 辐射效应 损伤机制 电子通量
主办者中国核学会中国电子学会
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2386
专题材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
郑玉展,陆妩,任迪远,等. 不同电子通量下NPN晶体管的辐照损伤研究[C],2008.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
不同电子通量下NPN晶体管的辐照损伤研究(311KB)会议论文 开放获取CC BY-NC-SA浏览 请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[郑玉展]的文章
[陆妩]的文章
[任迪远]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[郑玉展]的文章
[陆妩]的文章
[任迪远]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[郑玉展]的文章
[陆妩]的文章
[任迪远]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
文件名: 不同电子通量下NPN晶体管的辐照损伤研究.pdf
格式: Adobe PDF
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。