XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
CCD器件总剂量辐射损伤的剂量率效应
李鹏伟; 郭旗; 任迪远; 于跃; 王义元; 高博
2009
Conference Name第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
Conference Date2009
Conference Place沈阳
Abstract

基于线阵商用CCD器件,开展了60Coγ射线不同剂量率的辐照实验和室温退火研究。分别考察了CCD的功耗电流、复位电压,光响应灵敏度和电荷转移效率等参数的变化。结果表明所测量的CCD参数随γ总剂量增加而逐渐衰退,高剂量率辐照下的器件损伤效应明显高于低剂量率的器件。室温退火发现高剂量率辐照后CCD的不同参数恢复到与低剂量率辐照接近的水平,表明辐射感生氧化物电荷是导致不同剂量率效应差异的主要原因。

Keyword氧化物电荷 时间相关效应 辐射损伤 剂量率效应 光响应灵敏度 电荷耦合器件
Funding Organization中国电子学会 中国核学会
Document Type会议论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2363
Collection材料物理与化学研究室
Affiliation中科院新疆理化技术研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
李鹏伟,郭旗,任迪远,等. CCD器件总剂量辐射损伤的剂量率效应[C],2009.
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CCD器件总剂量辐射损伤的剂量率效应.p(566KB)会议论文 开放获取CC BY-NC-SAView Application Full Text
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