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题名: CCD器件总剂量辐射损伤的剂量率效应
作者: 李鹏伟 ; 郭旗 ; 任迪远 ; 于跃 ; 王义元 ; 高博
会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
会议日期: 2009
出版日期: 2009
会议地点: 沈阳
主办者: 中国电子学会 中国核学会
摘要: 基于线阵商用CCD器件,开展了60Coγ射线不同剂量率的辐照实验和室温退火研究。分别考察了CCD的功耗电流、复位电压,光响应灵敏度和电荷转移效率等参数的变化。结果表明所测量的CCD参数随γ总剂量增加而逐渐衰退,高剂量率辐照下的器件损伤效应明显高于低剂量率的器件。室温退火发现高剂量率辐照后CCD的不同参数恢复到与低剂量率辐照接近的水平,表明辐射感生氧化物电荷是导致不同剂量率效应差异的主要原因。
语种: 中文
内容类型: 会议论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2363
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CCD器件总剂量辐射损伤的剂量率效应.pdf(566KB)----开放获取View 联系获取全文

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李鹏伟;郭旗;任迪远;于跃;王义元;高博.CCD器件总剂量辐射损伤的剂量率效应.见:.,,2009,
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