XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
CCD器件总剂量辐射损伤的剂量率效应
李鹏伟; 郭旗; 任迪远; 于跃; 王义元; 高博
2009
会议名称第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
会议日期2009
会议地点沈阳
摘要

基于线阵商用CCD器件,开展了60Coγ射线不同剂量率的辐照实验和室温退火研究。分别考察了CCD的功耗电流、复位电压,光响应灵敏度和电荷转移效率等参数的变化。结果表明所测量的CCD参数随γ总剂量增加而逐渐衰退,高剂量率辐照下的器件损伤效应明显高于低剂量率的器件。室温退火发现高剂量率辐照后CCD的不同参数恢复到与低剂量率辐照接近的水平,表明辐射感生氧化物电荷是导致不同剂量率效应差异的主要原因。

关键词氧化物电荷 时间相关效应 辐射损伤 剂量率效应 光响应灵敏度 电荷耦合器件
主办者中国电子学会 中国核学会
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2363
专题材料物理与化学研究室
作者单位中科院新疆理化技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李鹏伟,郭旗,任迪远,等. CCD器件总剂量辐射损伤的剂量率效应[C],2009.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CCD器件总剂量辐射损伤的剂量率效应.p(566KB)会议论文 开放获取CC BY-NC-SA浏览 请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[李鹏伟]的文章
[郭旗]的文章
[任迪远]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[李鹏伟]的文章
[郭旗]的文章
[任迪远]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[李鹏伟]的文章
[郭旗]的文章
[任迪远]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
文件名: CCD器件总剂量辐射损伤的剂量率效应.pdf
格式: Adobe PDF
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。