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题名: 抗辐射加固封装国产存储器电子辐照试验研究
作者: 卫宁 ; 王剑峰 ; 杜婕 ; 周聪莉 ; 郭旗 ; 文林
会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
会议日期: 2009
出版日期: 2009
会议地点: 沈阳
主办者: 中国电子学会 中国核学会
摘要: 采用科学的屏蔽方法对国产CMOS存储器芯片进行了抗辐射封装,研制了抗辐射封装加固存储器LS28C256R,研制了试验电路板,在存储器器件加电工作条件下进行了电子加速器辐照试验的动态测试。试验结果表明,抗辐射封装加固存储器LS28C256R比普通封装存储器28C256抗电子源辐照的能力提高1~2个数量级,得到了预期的数据和结果。相信我们的工作为以后COTS(Commercial Off-The-shelf)器件在空间的开拓使用也提供了很好的途径.
语种: 中文
内容类型: 会议论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2358
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抗辐射加固封装国产存储器电子辐照试验研究.pdf(593KB)----开放获取View 联系获取全文

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卫宁;王剑峰;杜婕;周聪莉;郭旗;文林.抗辐射加固封装国产存储器电子辐照试验研究.见:.,,2009,
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