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XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室  > 会议论文
题名: 典型光电器件总剂量辐照效应试验研究
作者: 吾勤之 ; 许导进 ; 刘伟鑫 ; 于跃 ; 郭旗 ; 孙静
会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
会议日期: 2009
出版日期: 2009
会议地点: 沈阳
主办者: 中国电子学会 中国核学会
摘要: 对GaAlAs异质结红外发光二极管OP224和NPN型Si光电三极管OP604进行60Coγ射线辐照试验，分析了光电器件在γ射线辐照下氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的积累效应，对辐照损伤现象及损伤机理进行分析和探讨.
语种: 中文
内容类型: 会议论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2357
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典型光电器件总剂量辐照效应试验研究.pdf（280KB）----开放获取
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吾勤之;许导进;刘伟鑫;于跃;郭旗;孙静.典型光电器件总剂量辐照效应试验研究.见：.,,2009,
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