XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
典型光电器件总剂量辐照效应试验研究
吾勤之; 许导进; 刘伟鑫; 于跃; 郭旗; 孙静
2009
会议名称第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
会议日期2009
会议地点沈阳
摘要

对GaAlAs异质结红外发光二极管OP224和NPN型Si光电三极管OP604进行60Coγ射线辐照试验,分析了光电器件在γ射线辐照下氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的积累效应,对辐照损伤现象及损伤机理进行分析和探讨.

关键词总剂量效应 光电器件 氧化物陷阱电荷 界面态陷阱电荷 红外发光二极管 损伤机理
主办者中国电子学会 中国核学会
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2357
专题材料物理与化学研究室
作者单位中国航天科技集团公司八院第八○八研究所; 中国科学院新疆理化技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
吾勤之,许导进,刘伟鑫,等. 典型光电器件总剂量辐照效应试验研究[C],2009.
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