典型光电器件总剂量辐照效应试验研究

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题名:	典型光电器件总剂量辐照效应试验研究
作者:	吾勤之; 许导进; 刘伟鑫; 于跃; 郭旗; 孙静
会议名称:	第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
会议日期:	2009
出版日期:	2009
会议地点:	沈阳
关键词:	总剂量效应 ; 光电器件 ; 氧化物陷阱电荷 ; 界面态陷阱电荷 ; 红外发光二极管 ; 损伤机理
主办者:	中国电子学会中国核学会
摘要:	对GaAlAs异质结红外发光二极管OP224和NPN型Si光电三极管OP604进行60Coγ射线辐照试验，分析了光电器件在γ射线辐照下氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的积累效应，对辐照损伤现象及损伤机理进行分析和探讨.
内容类型:	会议论文
URI标识:	http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2357
Appears in Collections:	材料物理与化学研究室_会议论文

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典型光电器件总剂量辐照效应试验研究.pdf（280KB）	会议论文	--	开放获取	CC BY-NC-SA	View 联系获取全文

作者单位:

中国航天科技集团公司八院第八○八研究所; 中国科学院新疆理化技术研究所

Recommended Citation:

吾勤之,许导进,刘伟鑫,等. 典型光电器件总剂量辐照效应试验研究[C]. 见:第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会. 沈阳. 2009.

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