| 典型光电器件总剂量辐照效应试验研究 | |
吾勤之; 许导进; 刘伟鑫; 于跃; 郭旗 ; 孙静
| |
| 2009 | |
| 会议名称 | 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 |
| 会议日期 | 2009 |
| 会议地点 | 沈阳 |
| 摘要 | 对GaAlAs异质结红外发光二极管OP224和NPN型Si光电三极管OP604进行60Coγ射线辐照试验，分析了光电器件在γ射线辐照下氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的积累效应，对辐照损伤现象及损伤机理进行分析和探讨. |
| 关键词 | 总剂量效应 光电器件 氧化物陷阱电荷 界面态陷阱电荷 红外发光二极管 损伤机理 |
| 主办者 | 中国电子学会 中国核学会 |
| 文献类型 | 会议论文 |
| 条目标识符 | http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2357 |
| 专题 | 材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国航天科技集团公司八院第八○八研究所; 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吾勤之,许导进,刘伟鑫,等. 典型光电器件总剂量辐照效应试验研究[C],2009. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 典型光电器件总剂量辐照效应试验研究.pd（280KB） | 会议论文 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 浏览 请求全文 | ||
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