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题名: 不同发射极面积NPN晶体管高低剂量率辐射损伤特性
作者: 郑玉展 ; 陆妩 ; 任迪远 ; 王义元 ; 郭旗 ; 余学锋 ; 何承发
会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
会议日期: 2009
出版日期: 2009
会议地点: 沈阳
主办者: 中国电子学会 中国核学会
摘要: 影响NPN晶体管辐射损伤的因素有很多,如晶体管工艺,剂量率以及辐照偏置等。本文主要研究了三种发射极面积的国产NPN晶体管高低剂量率下的辐射损伤特性,分析了发射极尺寸对辐射损伤的影响.研究结果表明国产NPN晶体管具有低剂量率辐照损伤敏感性增强效应,且发现小电流注入下晶体管辐射损伤会表现得愈加显著。比较三种发射极尺寸晶体管辐照响应,发现发射极周长面积比(P/A)越大时晶体管归一化过剩基极电流(△IB//BO)也越大。文中详细阐述了NPN晶体管辐射损伤机制,从发射极尺寸和晶体管工作电压角度对NPN晶体管的加固保证方法进行了探索.
语种: 中文
内容类型: 会议论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2346
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郑玉展;陆妩;任迪远;王义元;郭旗;余学锋;何承发.不同发射极面积NPN晶体管高低剂量率辐射损伤特性.见:.,,2009,
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