XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
不同发射极面积NPN晶体管高低剂量率辐射损伤特性
郑玉展; 陆妩; 任迪远; 王义元; 郭旗; 余学锋; 何承发
2009
Conference Name第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
Conference Date2009
Conference Place沈阳
Abstract

影响NPN晶体管辐射损伤的因素有很多,如晶体管工艺,剂量率以及辐照偏置等。本文主要研究了三种发射极面积的国产NPN晶体管高低剂量率下的辐射损伤特性,分析了发射极尺寸对辐射损伤的影响.研究结果表明国产NPN晶体管具有低剂量率辐照损伤敏感性增强效应,且发现小电流注入下晶体管辐射损伤会表现得愈加显著。比较三种发射极尺寸晶体管辐照响应,发现发射极周长面积比(P/A)越大时晶体管归一化过剩基极电流(△IB//BO)也越大。文中详细阐述了NPN晶体管辐射损伤机制,从发射极尺寸和晶体管工作电压角度对NPN晶体管的加固保证方法进行了探索.

Keyword发射极面积 晶体管 剂量率 辐射损伤
Funding Organization中国电子学会 中国核学会
Document Type会议论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2346
Collection材料物理与化学研究室
Affiliation中国科学院新疆理化技术研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
郑玉展,陆妩,任迪远,等. 不同发射极面积NPN晶体管高低剂量率辐射损伤特性[C],2009.
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