XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应研究
高博; 余学峰; 任迪远; 王义元; 李鹏伟; 于跃; 李茂顺; 崔江维
2009
会议名称第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
会议日期2009
会议地点沈阳
摘要

本文研究了Altera SRAM型FPGA器件60Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及退火效应.通过不同模块实现相同的分频功能,比较了不同模块输出波形随总剂量、退火时间的变化关系;通过实现不同源程序所需的模块不同,并比较了不同源程序功耗电流随总剂量、退火时间的变化关系,详细探讨了不同模块随总剂量、退火时间的变化关系。同时,分析了功耗电流在不同退火温度下恢复的原因,并讨论了不同退火温度下功耗电流恢复幅度的差异.最后,测量了输出端口的高低电平,分析高低电平随总剂量、退火时间的变化关系.

关键词60coγ总剂量 辐射损伤 退火效应 Fpga器件
主办者中国电子学会 中国核学会
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2345
专题材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
高博,余学峰,任迪远,等. SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应研究[C],2009.
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