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题名: SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应研究
作者: 高博 ; 余学峰 ; 任迪远 ; 王义元 ; 李鹏伟 ; 于跃 ; 李茂顺 ; 崔江维
会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
会议日期: 2009
出版日期: 2009
会议地点: 沈阳
主办者: 中国电子学会 中国核学会
摘要: 本文研究了Altera SRAM型FPGA器件60Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及退火效应.通过不同模块实现相同的分频功能,比较了不同模块输出波形随总剂量、退火时间的变化关系;通过实现不同源程序所需的模块不同,并比较了不同源程序功耗电流随总剂量、退火时间的变化关系,详细探讨了不同模块随总剂量、退火时间的变化关系。同时,分析了功耗电流在不同退火温度下恢复的原因,并讨论了不同退火温度下功耗电流恢复幅度的差异.最后,测量了输出端口的高低电平,分析高低电平随总剂量、退火时间的变化关系.
语种: 中文
内容类型: 会议论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2345
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SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应研究.pdf(405KB)----开放获取View 联系获取全文

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高博;余学峰;任迪远;王义元;李鹏伟;于跃;李茂顺;崔江维.SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应研究.见:.,,2009,
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